Экспериментальная установка. Принципиальная схема

Теория

Принципиальная схема

Схема ключа (в пунктирном прямоугольнике на рис. 1 и 2) представляет делитель напряжения Е, плечами которого являются транзистор и его коллекторная нагрузка R _к. Входное напряжение подается на базу, а выходное – снимается с коллектора.

При изменении входного напряжения выходное сопротивление транзисторного ключа изменяется в пределах от максимального до минимального . Пользуясь данными рис. 3, эти статические параметры ключа можно выразить формулами:

, (1)

, (2)

где U _ост – остаточное (минимальное) напряжение на транзисторе в режиме насыщения, I _кн – ток коллектора насыщения (в этом режиме), E – напряжение источника питания и I _кэо – ток коллектора в схеме с общим эмиттером при отключенной базе.

Величины (1) и (2) используются для замены транзистора в теоретической модели ключа. В процессе его работы, согласно рис. 3, выходное напряжение изменяется от максимального, близкого к Е, до остаточного напряжения U _ост на транзисторе.

Схема установки для измерения статических параметров транзисторного ключа методом амперметра - вольтметра представлена на рис. 1. Здесь А₁ иА₂ – щитовые миллиамперметры постоянного тока, V₁ – В7-26 и V₂ – щитовой вольтметр. Входной ток ключа создается генератором тока, питание – от источника регулируемого напряжения до 15 В.

В установке для получения прямоугольных импульсов (рис. 2) используются генератор синусоидального напряжения и осциллограф для наблюдения этих импульсов на выходе ключа и измерения их высоты.

Рис. 1. Схема установки для измерения выходного сопротивления ключа.

Рис. 2. Схема установки для преобразования синусоидального напряжения

в прямоугольные импульсы.

Рис. 3. Статические и динамическая выходные характеристики транзистора.

Дата добавления: 2015-05-06