Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Устройство биполярного транзистора




Модуль 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

 

Транзистором называют электронный полупроводниковый прибор, имеющий три (или более) элек-трода и предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Изобретен в 1948 г. американскими учеными У. Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином. В СССР пер-вые транзисторы разработаны под руководством А.В. Красилова. Обычно выделяют два основных клас-

 

са транзисторов: биполярные транзисторы и полевые транзисторы.

В биполярных транзисторах ток через кристалл обусловлен движением носителей заряда обоих зна-

ковэлектроновдырок).

В полевых транзисторах(называемых также униполярными)протекание тока через кристалл обу-словлено движением носителей заряда одного знака (электронов или дырок).

Транзисторы классифицируются по типам и группам в зависимости от физических, эксплуатацион-ных и других параметров.

 

 

Биполярным транзистором называют полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n- переходами и тремя выводами.Он имеет трехслойную структуру,состоящую из чередующихся об-ластей с различными типами электропроводности: n-p-n или p-n-p (рис. 13, а, б).

 

Принцип работы транзисторов обеих структур одинаков, они отличаются только полярностью под-ключения источников питания, поэтому работу биполярного транзистора рассмотрим на примере струк-туры n-p-n (рис. 13, а).

      n   p   n             p   n   p      
                               
             
  Э                       Э                  
                                                     
К             К              
                    а)       б)      
                               
                                                         
                                                         
                                                         

Рис. 13 Устройство и условные графические обозначения биполярных транзисторов:

 

аn-p-n -структуры; бp-n-p -структуры

 

Исходная пластина полупроводника p -типа с низкой концентрацией дырок является базовой. На нее наплавляются с двух сторон таблетки донорной примеси. В процессе термической обработки атомы до-норной примеси проникают в кристалл, создавая n -области. Между n -областями и полупроводником p -типа образуются p-n- переходы. Процесс введения примесей контролируется таким образом, чтобы в од-ной n -области была большая их концентрация (на рисунке – в левой n -области), чем в другой. Наи-меньшая концентрация примеси остается в средней области p -типа.

 

Наружная область с наибольшей концентрацией примеси называется эмиттером, вторая наружная область – коллектором, а внутренняя область – базой. Электронно-дырочный переход между эмиттером и базой называют эмиттерным переходом, а между коллектором и базой – коллекторным переходом. В

 

соответствии с концентрацией основных носителей заряда база является высокоомной областью, кол-


лектор – низкоомной, а эмиттер – самой низкоомной. Толщина базы очень мала и составляет единицы микрометров; площадь коллекторного перехода в несколько раз превышает площадь эмиттерного.

 

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 396; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.007 сек.