Система h-параметров биполярных транзисторов

Биполярного транзистора

U _кэ= 0,когда U _кб= U _бэ.По мере роста U _кээто прямое напряжение уменьшается и

становится равным нулю при U _кэ = U _бэ. Прямое напряжение на коллекторном пе-реходе препятствует прохождению через него из базы в коллектор неосновных но-сителей заряда, которые инжектируются в базу из эмиттера. Поэтому уменьшение прямого напряжения на коллекторном пе-реходе приводит к увеличению экстракции этих носителей из базы в коллектор, а это в свою очередь вызывает резкое возрастание тока коллектора.

При U _кэ > U _бэ полярность U _кб изменя-ется на обратную для коллекторного пере-хода. Изменение напряжения U _кэ на этом участке характеристик мало влияет на ве-

личину тока коллектора; рабочий участок характеристики идет полого.

Увеличение коллекторного напряжения выше максимально допустимого приводит к пробою кол-лекторного перехода.

Кроме рассмотренных семейств характеристик для некоторых практических расчетов представляют интерес еще две характеристики: проходная и прямой передачи.

Проходная характеристика – это зависимость выходного тока от входного напряжения при посто-янном выходном напряжении. Для схемы ОЭ это зависимость тока коллектора от напряжения база-эмиттер при постоянном напряжении коллектор-эмиттер.

Характеристикой прямой передачи называют зависимость выходного тока от входного.Для схемыс ОЭ это зависимость тока коллектора от тока базы при постоянном напряжении коллектора.

Связь между малыми приращениями токов и напряжений, действующих в транзисторе, устанавли-вается так называемыми характеристическими параметрами. Эти параметры определяются схемой включения транзистора. Существует несколько систем характеристических параметров. Наибольшее распространение получила система h -пара-метров, называемая смешанной или гибридной, так как среди параметров этой системы имеется одно сопротивление, одна проводимость и две безразмерные величи-ны.

h -параметры связывают входные и выходные токи и напряжения.Зависимости между входным на-пряжением U ₁ = U _бэ, входным током I ₁ = I _б,выходным напряжением U ₂= U _кэи выходным током I ₂ = I _кмогут быть выражены системой двухуравнений:

∆ U ₁ = h ₁₁∆ I ₁ + h ₁₂∆ U ₂,

∆ I ₂ = h ₂₁∆ I ₁ + h ₂₂∆ U ₂,

где h _11э – входное сопротивление транзистора при коротком замыкании (по переменному току) на выхо-де транзистора; h _12э – коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе (разомкнутом входе по переменному току); h _21э – коэффициент усиления по току при коротком замыкании (по пере-менному току) на выходе транзистора; h _22э – выходная проводимость транзистора при разомкнутом (по переменному току) входе.

h 11э=∆ U бэ/∆ I б	при	U кэ= const;	h 12э=∆ U бэ/ U кэпри I б= const;
h 21э=∆ I к/∆ I б	при	U кэ= const;	h 22э=∆ I к/ U кэпри I б= const.

Индекс «Э» обозначает, что данная система параметров относится к схеме с общим эмиттером. Для любой схемы включения транзисторов h -параметры могут быть определены по статическим характери-стикам транзистора: параметры h ₁₁ и h ₁₂ – по входным (рис. 19, а, б), параметры h ₂₁ и h ₂₂ – по выходным

(рис. 19, в, г).

I б	U кэ =сonst	I б	∆ U кэ
	U кэ1	U кэ2
∆ I б
	I б =сonst
	U б
	U б
	∆ U б
		∆ U б
		а)	б)
I к	I б2	I к	I б =сonst
∆ I к	∆ I б	∆ I к
	I б1
	U к =сonst U кэ		U кэ
		∆ U кэ

в) г)

Рис. 19 Определение h -параметров биполярного транзистора по семействам входных и выходных характеристик

Дата добавления: 2015-05-06