Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Система h-параметров биполярных транзисторов




Биполярного транзистора


U кэ= 0,когда U кб= U бэ.По мере роста U кээто прямое напряжение уменьшается и

 

становится равным нулю при U кэ = U бэ. Прямое напряжение на коллекторном пе-реходе препятствует прохождению через него из базы в коллектор неосновных но-сителей заряда, которые инжектируются в базу из эмиттера. Поэтому уменьшение прямого напряжения на коллекторном пе-реходе приводит к увеличению экстракции этих носителей из базы в коллектор, а это в свою очередь вызывает резкое возрастание тока коллектора.

 

При U кэ > U бэ полярность U кб изменя-ется на обратную для коллекторного пере-хода. Изменение напряжения U кэ на этом участке характеристик мало влияет на ве-


личину тока коллектора; рабочий участок характеристики идет полого.

 

Увеличение коллекторного напряжения выше максимально допустимого приводит к пробою кол-лекторного перехода.

 

Кроме рассмотренных семейств характеристик для некоторых практических расчетов представляют интерес еще две характеристики: проходная и прямой передачи.

 

Проходная характеристика – это зависимость выходного тока от входного напряжения при посто-янном выходном напряжении. Для схемы ОЭ это зависимость тока коллектора от напряжения база-эмиттер при постоянном напряжении коллектор-эмиттер.


Характеристикой прямой передачи называют зависимость выходного тока от входного.Для схемыс ОЭ это зависимость тока коллектора от тока базы при постоянном напряжении коллектора.

 

 

Связь между малыми приращениями токов и напряжений, действующих в транзисторе, устанавли-вается так называемыми характеристическими параметрами. Эти параметры определяются схемой включения транзистора. Существует несколько систем характеристических параметров. Наибольшее распространение получила система h -пара-метров, называемая смешанной или гибридной, так как среди параметров этой системы имеется одно сопротивление, одна проводимость и две безразмерные величи-ны.

h -параметры связывают входные и выходные токи и напряжения.Зависимости между входным на-пряжением U 1 = U бэ, входным током I 1 = I б,выходным напряжением U 2= U кэи выходным током I 2 = I кмогут быть выражены системой двухуравнений:

 

U 1 = h 11I 1 + h 12U 2,

 

I 2 = h 21I 1 + h 22U 2,

 

где h 11э – входное сопротивление транзистора при коротком замыкании (по переменному току) на выхо-де транзистора; h 12э – коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе (разомкнутом входе по переменному току); h 21э – коэффициент усиления по току при коротком замыкании (по пере-менному току) на выходе транзистора; h 22э – выходная проводимость транзистора при разомкнутом (по переменному току) входе.

 

h 11э=∆ U бэ/∆ I б при U кэ= const; h 12э=∆ U бэ/ U кэпри I б= const;
h 21э=∆ I к/∆ I б при U кэ= const; h 22э=∆ I к/ U кэпри I б= const.

 

Индекс «Э» обозначает, что данная система параметров относится к схеме с общим эмиттером. Для любой схемы включения транзисторов h -параметры могут быть определены по статическим характери-стикам транзистора: параметры h 11 и h 12 – по входным (рис. 19, а, б), параметры h 21 и h 22 – по выходным

(рис. 19, в, г).

I б U кэ =сonst I б U кэ  
     
  U кэ1 U кэ2  
I б    
  I б =сonst    
       
  U б      
  U б  
  U б  
     
    U б  
       
    а) б)  
I к I б2 I к I б =сonst  
     
I к I б I к    
     
  I б1      
  U к =сonst U кэ   U кэ  
   
    U кэ  


в) г)

 

Рис. 19 Определение h -параметров биполярного транзистора по семействам входных и выходных характеристик

 

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 1070; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.008 сек.