Типы маркетинговых исследований

Задание

Задание

Задание

Задание

Задание

Классификация внешней памяти ЭВМ. Основные параметры внешней памяти ЭВМ.

Внешняя память (ВЗУ) предназначена для долговременного хранения больших объемов данных и программного обеспечения и обмена ими с оперативной памятью. В настоящее время структура и технические характеристики ВЗУ во многом определяют основные количественные и качественные показатели ЭВМ и информационно-вычислительных систем.

Для построения внешней памяти используются энергонезависимые носители информации (диски и ленты), которые к тому же часто являются переносимыми. Емкость этой памяти практически не имеет ограничений, но для обращения к ней требуется больше времени, чем к внутренней

Внешние запоминающие устройства конструктивно отделены от центральных устройств ЭВМ (процессора и внутренней памяти), имеют собственное управление и выполняют запросы процессора без его непосредственного вмешательства.

Информация в ВЗУ располагается в виде блоков, которые становятся доступными для обработки в центральном процессоре в результате выполнения операции ввода (или загрузки) их из внешней памяти в оперативную. Передача блоков из оперативной памяти во внешнюю осуществляется операцией вывода. Эти операции обмена требуют ВЗУ с высокой скоростью передачи данных и быстрым доступом к ней.

По способу регистрации информации различают ВЗУ с магнитной, оптической и магнитооптической записью. По типу носителя информации различают ВЗУ с гибким или жестким носителем.

Носителем информации называют некоторое тело, на поверхности которого с помощью той или иной технологии реализуют размещение блоков информации.

ВЗУ по способам доступа к информации разделяются на

l устройства прямого доступа (накопители на магнитных и оптических дисках, твердотельные накопители);

l устройства последовательного доступа (накопители на кассетной магнитной ленте).

Расположение блоков памяти на поверхности носителя можно представить в виде линейного или двумерного массива (матрицы). В первом случае для нахождения требуемого блока просматриваются последовательно все блоки. ВЗУ, реализующие такой просмотр, называют накопителями с последовательным доступом.

При расположении блоков информации на носителе в виде двумерного массива организуется независимый поиск по каждому направлению. Если задан номер строки (или дорожки) Y_i, где расположен искомый блок (ij), то время поиска определяется временем просмотра блоков только на этой дорожке. Поиск в направлении Y здесь производится за счет переключения или перемещения органов считывания (например, магнитных головок), а просмотр в направлении X – за счет перемещения носителя (например, магнитного диска).

Устройства прямого доступа обладают большим быстродействием, поэтому они являются основными внешними запоминающими устройствами, постоянно используемыми в процессе функционирования ЭВМ. Устройства последовательного доступа используются в основном для резервирования информации.

Ниже приведены основные типы ВЗУ:

l накопители на жестких магнитных дисках (в том числе на сменных жестких дисках IDE, SATA, SCSI, SAS);

l накопители на гибких магнитных дисках (FDD);

l картриджные накопители на магнитной ленте (streamer);

l накопители на оптических дисках (CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD, DVD-R, DVD-RAM);

l твердотельные накопители (SSD - Solid State Drive);

l карты памяти (SD, SDHC, Memory Stick Duo, CompactFlash)

l брелки флеш-памяти (USB flash drive)

В качестве запоминающей среды магнитных дисков (МД) используются магнитные материалы со специальными свойствами (с прямоугольной петлей гистерезиса), позволяющими фиксировать два магнитных состояния - два направления намагниченности. Каждому из этих состояний ставятся в соответствие двоичные цифры: 0 и 1.

Диски бывают жесткими и гибкими, сменными и встроенными в ПК. Устройство для чтения и записи информации на магнитном диске называется дисководом (или накопителем на МД -НМД).

Все диски: и магнитные, и оптические характеризуются своим диаметром или, иначе, форм-фактором. Наибольшее распространение получили магнитные диски с форм-фактором 3,5" (89 мм) и оптические диски с форм-фактором 5,25" (133 мм).

Информация на МД записывается и считывается магнитными головками вдоль концентрических окружностей - дорожек (tracks). Количество дорожек на МД и их информационная емкость зависят от типа МД, конструкции накопителя на МД, качества магнитных головок и магнитного покрытия.

Каждая дорожка МД разбита на сектора. В одном секторе дорожки наряду со служебной информацией может быть помещено обычно 512 байт данных. Обмен данными между НМД и оперативной памятью осуществляется последовательно целым числом секторов.

Каждую новый диск (дискету) в начале работы с ним следует отформатировать. Форматирование диска - это создание структуры записи информации на ее поверхности: разметка дорожек, секторов, маркировку дефектных участков и запись служебной информации.

Кластер - это минимальная единица размещения информации на диске, состоящая из одного или нескольких смежных секторов дорожки.

Данные на дисках хранятся в файлах, которые обычно отождествляют с участком (областью, полем) памяти на этих носителях информации.

Файл - это именованная совокупность данных, размещенная на внешнем запоминающем устройстве и хранимая, пересылаемая и обрабатываемая как единое целое.

Областьпамяти выделяется создаваемому файлу кратным определенному количеству кластеров. Кластеры, выделяемые одному файлу, могут находиться в любом свободном месте дисковой памяти и необязательно являются смежными. Файлы, хранящиеся в разбросанных по диску кластерах, называются фрагментированными.

Наибольшее влияние на производительность ЭВМ оказывают следующие информационные (функциональные) параметры:

l Емкость. Если носитель сменный, то под емкостью понимают объем одного тома, который доступен без смены носителя. Для НМД

Характерные емкости современных устройств внешней памяти:

DVD – 4,7 Гбайт, 2-ухслойный – 8,5 Гбайт

Blu-fay – 25 Гбайт, 4-ехслойный – 100 Гбайт

HDD – до 1 Тбайта

SDD – до 128 Гбайтов

VНаибольшее влияние на производительность ЭВМ оказывают следующие информационные (функциональные) параметры:

l Емкость. Если носитель сменный, то под емкостью понимают объем одного тома, который доступен без смены носителя.

l Номинальная скорость передачи данных (пропускная способность, скорость записи-считывания, внутренняя скорость передачи – internal transfer rate). Для НМД

где t_об= 60/n_об – время одного оборота диска, с; n_об – частота вращения, об/мин (rpm – rotation per minutes).

Для HDD с интерфейсом SATA и SATA II F_HDD = 150-320 Мбайт/с, (n_об = 7200-10000 rpm). Для FDD F_FDD ≈ 80 Кбайт/с (n_об = 300 rpm)

l Среднее время доступа (average seek time). Время доступа – это интервал времени от момента запроса до момента выдачи блока. Оно не постоянно и зависит от множества факторов: скорости перемещения носителя, скорости перемещения головок, способа доступа, расстояния между текущим положением головки и положением запрашиваемого блока. Для НМД

где t_поз – среднее время перемещения (позиционирования) головки на требуемую дорожку (или по-другому среднее время поиска дорожки – track to track seek), с; t_ож – среднее время ожидания блока (сектора) на дорожке, пока он не окажется под головкой. Принимается

Для HDD T_HDD = 8,5-12 мс, для FDD T_FDD= 100 мс.

Решение

При последовательном соединении двух резисторов их общее сопротивление

R' = R 1 + R 2.

При подключении соединения резисторов к источнику с напряжением U по ним будет течь ток силой

(1)

Решение

При последовательном соединении двух резисторов их общее сопротивление

R' = R 1 + R 2.

При подключении соединения резисторов к источнику с напряжением U по ним будет течь ток силой

(1)

При параллельном соединении двух резисторов их общее сопротивление

(2)

Из соотношений (1)–(2) находим:

R 2 = U / I 1 – R 1; I 2 R 1(U / I 1 – R 1) = U (R 1 + U / I 1 – R 1);

Ответ. R 1 = 30 Ом, R 2 = 10 Ом или R 1 = 10 Ом, R 2 = 30 Ом.

Дано:

R₁ = 1 Ом, R₂ = 2 Ом, R₃ = 3 Ом, R₄ = 4 Ом.

Найти R.

Решение.

Ответ: а) 0,9 Ом; б) 2,1 Ом; в) 2,4 Ом; г) 1,6 Ом; д) 2,5 Ом; е) 2,1 Ом.

Дано:

Найти

Решение.

Ответ: увеличится в 1,1 раза.

Дано:

Найти ε, r.

Решение.

Ответ: ε = 12 В, r = 0,2 Ом.

Существует много техник маркетинговых исследований, включая:

Дата добавления: 2015-04-24