КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Контакт метал напівпровідник
Контактні явища в напівпровідниках та металах. Фізика контактних явищ метал-н/п Що таке електронна спорідненість Білет 8 Який зв'язок CdS і ТеS. Електронна спорідненість – це енергія яка виділяються при приєднанні електрона до атома. Електрона спорідненість галогенів лежить в межах [1- 9] еВ. Енергія споріднення Cl – 3.6 eB для F -3.1 eB. В NaCl енергія внутрішнього зв’язку 5.7 еВ. Енергія Маделунга – також залежіть від параметру який називається координаційне число.
Нехай буде напівпровідник n-типу. Термодинамічна робота виходу напівпровідника - це енергія яку потрібно затратити, щоб перевести електрон з дна зони провідності у вакуум це є зовнішня робота виходу, яка дорівнює величині електронного споріднення. Рис 1. (ф1) Якщо є метал то характерною є його термодинамічна робота виходу. Рис 2. (ф2) метал напівпровідник Рис 3. нехай напівпровідник є n-типу тоді термодинамічний вихід: (ф3) Поверхня металу буде заряджатися негативно, а поверхня напівпровідника буде заряджений позитивно і виникає контактна різниця потенціалів. Ця контактна різниця потенціалів буде доти, поки сформоване електричне поле не буде протидіяти переходу електронів, а це приведе до того, що рівень фермі в наслідок переходу напівпровідник метал повинні вирівнятись. (ф4) Рис 4. в такому випадку сумарний потік (ф5)
напруженість ел поля яка виникає на відстані де (ф6) кількість електронів на одиниці поверхні це (ф7) для того що визначити товщину шару з якого виходять електрони поділити на повну концентрацію. (ф8) якщо припустити що різниця термодинамічних різниць виходу дорівнює одиниці і а концентрація носіїв заряду 10"22 для металу глибина проникнення буде при великих товщинах величини є ввдносно малими заряд локалізується на поверхні. Якщо товщина є співмірна товщині гратки то всі зміни концентрації носіїв заряду будуть відбуватися в приповерхневому шарі напівпровідника. Якщо величина .,то товщина залишиться малою а буде . При цьому виникає шар збіднення при чому концентрація носіїв заряду міняється за законом (ф9) . якщо підставити в (ф10) то можна бачити що енергія електронів в зоні збіднення збільшується при наближенні до границі розділу. З урахуванням контактної різниці потенціалів: Рис 5. Оскільки величина напруженості поля, яке формується за рахунок контактної різниці потенціалів є на три порядки менше за внутрішнє кристалічне поле то це означає що ширина ЗЗ не буде мінятися.
Дата добавления: 2015-05-08; Просмотров: 1375; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |