Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Контакт метал напівпровідник




Контактні явища в напівпровідниках та металах.

Фізика контактних явищ метал-н/п

Що таке електронна спорідненість

Білет 8

Який зв'язок CdS і ТеS.

Електронна спорідненість це енергія яка виділяються при приєднанні електрона до атома. Електрона спорідненість галогенів лежить в межах [1- 9] еВ. Енергія споріднення Cl – 3.6 eB для F -3.1 eB.

В NaCl енергія внутрішнього зв’язку 5.7 еВ. Енергія Маделунга – також залежіть від параметру який називається координаційне число.

 

Нехай буде напівпровідник n-типу. Термодинамічна робота виходу напівпровідника - це енергія яку потрібно затратити, щоб перевести електрон з дна зони провідності у вакуум це є зовнішня робота виходу, яка дорівнює величині електронного споріднення.

Рис 1.

(ф1)

Якщо є метал то характерною є його термодинамічна робота виходу.

Рис 2.

(ф2)

метал напівпровідник

Рис 3.

нехай напівпровідник є n-типу тоді термодинамічний вихід:

(ф3)

Поверхня металу буде заряджатися негативно, а поверхня напівпровідника буде заряджений позитивно і виникає контактна різниця потенціалів. Ця контактна різниця потенціалів буде доти, поки сформоване електричне поле не буде протидіяти переходу електронів, а це приведе до того, що рівень фермі в наслідок переходу напівпровідник метал повинні вирівнятись.

(ф4)

Рис 4.

в такому випадку сумарний потік

(ф5)

напруженість ел поля яка виникає на відстані де

(ф6)

кількість електронів на одиниці поверхні це

(ф7)

для того що визначити товщину шару з якого виходять електрони поділити на повну концентрацію.

(ф8)

якщо припустити що різниця термодинамічних різниць виходу дорівнює одиниці і а концентрація носіїв заряду 10"22

для металу глибина проникнення буде

при великих товщинах величини є ввдносно малими заряд локалізується на поверхні. Якщо товщина є співмірна товщині гратки то всі зміни концентрації носіїв заряду будуть відбуватися в приповерхневому шарі напівпровідника. Якщо величина .,то товщина залишиться малою а буде .

При цьому виникає шар збіднення при чому концентрація носіїв заряду міняється за законом

(ф9) .

якщо підставити в

(ф10)

то можна бачити що енергія електронів в зоні збіднення збільшується при наближенні до границі розділу.

З урахуванням контактної різниці потенціалів:

Рис 5.

Оскільки величина напруженості поля, яке формується за рахунок контактної різниці потенціалів є на три порядки менше за внутрішнє кристалічне поле то це означає що ширина ЗЗ не буде мінятися.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-08; Просмотров: 1375; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.008 сек.