Варикапи

Бар’єра ємність

Напівпровідниковий прилад у якого бар’єрна ємність змінюється від прикладеного зміщення. Це прилад з змінною ємністю.

Рис 1.

В діоді міняється величина заряду, яка веде до зміни величини бар’єрної ємності. Бар’єрна ємність працює при зворотних зміщеннях. Дифузійна ємність - це параметр, який появляється при прямих зміщеннях у напівпровіднику коли має місце інжекція неосновних носіїв заряду область бази напівпровідникового діода. При прямих зміщеннях бар’єрна ємність

(Ф1, 2)

Основна відмінність діодної структури від варикапної полягає в

Рис 2.

Варикапні структури, як правило використовують структури n-типу, які класичні і сильно леговані у ділянці n. Відрізняється конструктивно суть відмінності полягає в сильній не лінійності ємнісної характеристики.

Рис 3. Для діодної структури в ідеальному випадку

Створення не лінійності добиваються за рахунок структури. В р-області є однорідний коефіцієнт концентрації, а у n-області є не лінійний і сильно легований n-провідник. Питомий опір бази буде різко зростати з координатою. Ріст концентрації полягає в різкій зміні потенціалу. І як наслідок цієї зміни С бар’єрне буде міняться майже за гіперболічним законом, а це означає що міняючи напругу на переході можна міняти величину бар’єрної ємності за рахунок зміни ширини ОПЗ. А сама ширина ОПЗ міняється за рахунок ставлення концентрації домішки з зворотнім градієнтом. Як наслідок

Рис 4.

Дата добавления: 2015-05-08