КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Варисторы
Полупроводниковые резисторы По сути п/п резисторы относят к специальным резисторам типа сенсорных приборов (датчиков). Все эти резисторы представляют собой переменные резисторы, сопротивление которых изменяется не механическим перемещением подвижного контакта. В основу изменения сопротивления положена высокая чувствительность РЭ’а, при воздействии на него различных факторов. Чаще всего при этом характер изменения сопротивления является нелинейным. В основу их работы положена нелинейная зависимость сопротивления от приложенного напряжения. ВАХ варистора симметрична и представлена на рис. 12.
Повышенная электропроводность РЭ объясняется поведением поверхностных текстолитов, поведение РЭ материалов в сильных электрических полях за счет замыкания точечных контактов кристаллитов поверхности этого РЭ материала, при их разогреве, в этом случае проявляются разные эффекты: туннелирование, лавинно–умножение. Зависимость сопротивления варистора от температуры приведена на рис. 13.
Основная конструкция типа чип, также есть в виде таблеток, стержней, параллелограммов. Максимальное напряжение до 400В; Ток до 10mA для МЭА. В промышленности более массивные конструкции обеспечивают напряжение до нескольких десятков кВ и ток до 1 А. На основе варисторов изготавливают умножители, устройства защита от перенапряжения, поглотители (от скачков напряжения и разрядов), для переключения индуктивной нагрузки. Материалы – широко используются оксиды металлов ZnO, CoO2, NiO, SiC, так же используют амфорный Si и монокристаллический Si. Основные параметры варистора: · Номинальная мощность рассеивания (которую варистор может рассеивать во время постоянной электрической нагрузки при заданной температуре, атмосферного давления и других параметров документации); · Коэффициент нелинейности (β) – ; — Rст –статическое сопротивление в данной точке ВАХ к Rд – дифференциальному сопротивлению в той же точке, при заданном постоянном напряжении на варисторе; · Максимальное рабочее напряжение (выбираемого из допустимой мощности рассеивания); · Максимальный ток; · ТК статического сопротивления. Изготовление варистора: Большая часть металлоокисных варисторов изготавливается по керамической технологии с последующей термообработкой (1400÷1500 градусов по K). Выводы формируются с помощью колпачков (штырь), для выводных площадок, паст с органическими добавками. Варисторы на основе SiC получают по керамической и тонкопленочной технологии. Для повышения коэффициента нелинейности (β) вводят кадмий, селен (РЭ на основе Si).
Дата добавления: 2015-05-09; Просмотров: 1045; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |