Параметры и характеристики фоторезисторов

Фоторезисторы

Принцип действия фоторезистора (ФР) основан на изменении проводимости п/п материалов, под действием электромагнитного излучения вызванного нагревом — это фотоэлектрические приемники излучения, работа которых основана на внутреннем фотоэффекте п/п–ка.

1) Коэффициент удельной чувствительности:

где

– разность токов при отсутствии света и некоторого излучения (обычно 200 люкс);

– освещенность в люксах;

S – площадь светочувствительной площадки в см²;

U – напряжение приложенное в ФР.

Отношение K/U —. Называют интегральной чувствительностью.

U_раб =5÷100 В.

Допустимая мощность рассеивания от 0,01 до 0,1 Вт.

Следующая важная характеристика спектральная характеристика ФР приведена на рис. 18.

Диапазон волн до 14 мкм можно получить, используя тройные соединения:

CdHgTe

PbStSe

Еще больше расширить диапазон можно при использовании п/п материалов Ge, Si до 40 мкм.

ВАХ ФР на п/п Ge, Si изображена на рис. 19.

Наиболее распространенные конструкции ФР представлены на рис. 20.

На рис. 20. представлены конструкции при использовании ФР монокристаллического п/п – а), в), поликристаллических в виде растра напыляемого из поликристаллических проводников –г).

Дата добавления: 2015-05-09