Перечень лекций

Содержание дисциплины

Тематический план дисциплины

Структура дисциплины

Срок обучения 4 года

Очная форма обучения.

Уровень базового образования: среднее (полное) общее.

Вид занятий	Количество часов
Всего	Семестр
Лекции	16	16
Лабораторные	32	32
Всего аудиторные	48	48
Форма контроля		Зач.
Самостоятельная работа	60	60
Всего: часы/ЗЕТ	108/3	108/3

Виды занятий и учебных поручений	Количество часов	Количество баллов семестрового рейтинга
за выполнение учебных заданий	по результатам прохождения рубежных контрольных мероприятий	за посещаемость, прилежание, персональную активность (бонусы)
Лекции		0-8
Лабораторные работы		8-40		0-7
Практические занятия
Семинары
Курсовое проектирование (курсовой проект, курсовая работа)
Рефераты
Графические работы
РГР, РПР
Типовые расчёты
Доклады, презентации, эссе
Рубежные контрольные мероприятия	Тестирование		0-15 (РРК № 1) 0-15 (РРК № 2) 0-15 (РРК № 3)
Всего:
Самостоятельная работа
Переаттестация
Форма итогового контроля	экзамен
Итого:

№	Наименование раздела и темы	Всего часов	Всего аудиторных часов	Лекции	Практические	Семинарские	Лабораторные	Самостоятельная работа	Формируемые компетенции
	Введение в курс «Физические основы электроники»	2,5	0,5	0,5					ОК-1, ОК-10, ПК-1
	Материалы электронной техники и их электрофизические свойства. Элементарная теория электропроводности	4,5	0,5	0,5					ОК-1, ОК-10, ПК-1
	Основы зонной теории полупроводников	4,5	0,5	0,5					ОК-1, ОК-10, ПК-1
	Собственные и примесные полупроводники	6,5	0,5	0,5					ОК-1, ОК-10, ПК-1
	Контактные явления в полупроводниках								ОК-1, ОК-10, ПК-1
	Полупроводниковые диоды, характеристики и параметры								ОК-1, ОК-10, ПК-1, ПК-10
	Физические процессы в биполярном транзисторе, характеристики								ОК-1, ОК-10, ПК-1, ПК-10
	Принцип действия полевых транзисторов, характеристики								ОК-1, ОК-10, ПК-1, ПК-10
	Тиристоры.								ОК-1, ОК-10, ПК-1, ПК-10
	Поверхностные явления в полупроводниках; фотоэлектрические явления в полупроводниках; люминесценция полупроводников, фотоэлектрические явления в полупроводниках								ОК-1, ОК-10, ПК-1, ПК-10
	Физические основы микроэлектроники								ОК-1, ОК-10, ПК-1, ПК-10
	ИТОГО

Лекции проводятся с применением мультимедиа технологий

Лекция 1. (пассивная форма)

Введение в курс «Физические основы электроники». Материалы электронной техники и их электрофизические свойства. Элементарная теория электропроводности. Основы зонной теории полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.

Лекция 2. (пассивная форма)

Диффузия носителей заряда в полупроводниках. Контактные явления в полупроводниках. Электронно-дырочный переход. Характеристики p-n перехода. Переход металл-полупроводник Полупроводниковые диоды, характеристики и параметры.

Лекция 3. (пассивная форма)

Биполярные транзисторы (БТ). Классификация, общие сведения и физические процессы в БТ. Токи в транзисторе. Усиление с помощью транзистора. Основные схемы включения транзисторов. Коэффициенты передачи токов в статическом режиме.

Лекция 4. (пассивная форма)

Статические характеристики биполярных транзисторов. Параметры и эквивалентные схемы транзисторов: физические (Т-образные) и в виде активных четырехполюсников. Влияние температуры на характеристики и параметры БТ. Частотные свойства и параметры транзисторов. Импульсный режим работы БТ. Собственные шумы транзисторов и диодов.

Лекция 5. (пассивная форма)

Полевые транзисторы (ПТ). Устройство и принцип действия ПТ с затвором в виде p-n-перехода. Характеристики и параметры полевых транзисторов. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с изолированным затвором (МДП-транзисторов). Физические процессы в МДП-структурах и физические параметры МДП-транзисторов. ВАХ и их зависимость от температуры.

Лекция 6. (пассивная форма)

Тиристоры. Устройство и принцип действия. Основные физические процессы. Режимы работы. Разновидности тиристоров: динистор, тринистор, симистор.

Лекция 7. (пассивная форма)

Поверхностные явления в полупроводниках; фотоэлектрические явления в полупроводниках; люминесценция полупроводников. Варисторы. Терморезисторы. Полупроводниковые гальваномагнитные приборы. Полупроводниковые фотоэлектрические приборы. Излучающие приборы. Оптроны.

Лекция 8. (пассивная форма)

Конструктивно-технологические особенности микроэлектроники. Элементы интегральных схем, основные их параметры и характеристики. Структуры, принципы действия. Характеристики и параметры.

Дата добавления: 2015-05-07