Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Тематический план дисциплины. Структура дисциплины




Структура дисциплины

Срок обучения 3,5 года

Заочная форма обучения.

Перечень тем курсовых проектов (работ)

Перечень вопросов для СРС

Перечень лабораторных работ

Перечень практических занятий

Практические занятия по данной дисциплине не предусмотрены.

 

Лабораторная работа 1. (пассивная форма)

Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа 2. (пассивная форма)

Расчет и построение рабочих характеристик полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа 3. (пассивная форма)

Исследование характеристик и параметров биполярных транзисторов в схемах с общей базой и общим эмиттером.

Лабораторная работа 4. (пассивная форма)

Исследование характеристик и параметров биполярных транзисторов методом моделирование.

Лабораторная работа 5. (пассивная форма)

Исследование частотных параметров биполярных транзисторов.

Лабораторная работа 6. (пассивная форма)

Исследование характеристик и параметров полевых транзисторов.

Лабораторная работа 7. (пассивная форма)

Исследование характеристик и параметров МДП-транзисторов методом моделирования.

Лабораторная работа 8. (пассивная форма)

Исследование характеристик и параметров тиристоров.

  1. Классификация полупроводниковых материалов.
  2. Свойства полупроводниковых материалов.
  3. Определение параметров полупроводниковых диодов.
  4. Построение рабочих характеристик полупроводниковых диодов.
  5. Маркировка полупроводниковых приборов.
  6. Расчет первичных параметров биполярных транзисторов.
  7. Расчет вторичных параметров биполярных транзисторов.
  8. Применение тиристоров.
  9. Области применения приборов с зарядовой связью.
  10. Маркировка электровакуумных приборов.
  11. Классификация интегральных микросхем.
  12. Методы изоляции элементов интегральных микросхем.
  13. Реализация активных и пассивных элементов интегральных схем.
  14. Технология изготовления полупроводниковых микросхем.

Курсовая работа по данной дисциплине не предусмотрена.

Уровень базового образования: среднее (полное) техническое.

Вид занятий Количество часов
Всего Семестр
   
Лекции 4 4  
Лабораторные 4 4  
Всего аудиторные 8 8  
Переаттестовано 36 36  
Форма контроля Зач. Зач.  
Самостоятельная работа 60 60  
Всего: часы/ЗЕТ 108/3 108/3  

 

Наименование раздела и темы Всего часов Всего аудиторных часов Лекции Практические Семинарские Лабораторные Самостоятельная работа Формируемые компетенции
  Введение в курс «Физические основы электроники». Основные полупроводниковые приборы: принцип работы, характеристики, параметры. 2,5 0,5 0,5         ОК-1, ОК-10, ПК-1, ПК-10



Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-07; Просмотров: 192; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.006 сек.