Температурные свойства транзисторов

Влияние температуры в транзисторах оказывает такое же действие, как и в полупроводниковых диодах, охлаждение в меньшей степени влияет на параметры транзистора, чем нагрев. Экспериментальным путем установлено, что при увеличении температуры от 20 до 60 С⁰, параметры транзистора изменяются следующим образом:

1) Сопротивление коллектора уменьшается в два раза

2) Сопротивление базы уменьшается на 15-20%

3) Сопротивление эмиттера возрастает на 15-20%

Нагрев так же приводит к смещению выходных характеристик и к изменению их угла наклона, что так же нарушает нормальную работу транзистора. Значение обратного тока при нагреве можно определить по следующей формуле

Для практических расчетов обычно принимают, что при увеличении температуры на 10 градусов обратный ток возрастает в двое, поэтому при повышенных температурах обычно применяют транзисторы, изготовленные из кремния, которые работают до 150 градусов, а так же транзисторы изготовлены из карбида кремния, которые могут работать до 500-600 С⁰.

Схема включения транзистора с общем эмиттером

Коэффициент усиления по току в этой схеме обозначается буквой бета (β) и он равен отношению выходной ток ко входного тока. Выходным током является ток коллектора. А входным током является ток базы. Т.к. ток эмиттера равен ток коллектора плюс ток базы, то ток базы равен ток эмиттера мину ток коллектора. То есть β_max ≈100

Коэффициент усиления по напряжению ≈ 100, коэффициент усиления по мощности ≈ 10000.

Сопротивление входа большое (десятки - сотни Ом), то есть данная схема обладает большим коэффициентом усиления по мощности, большим входным сопротивлением, которое не оказывает шунтирующее действие на сопротивление предыдущих каскадов и данная схема может питаться от одного источника питания.

Дата добавления: 2015-05-26