Бестрансформаторные усилители мощности

В настоящее время наибольшее распространение находят бестрансформаторные усилители мощности. Рассмотрим двухтактный усилитель мощности на биполярных транзисторах различного типа проводимости (комплементарный эмиттерный повторитель, усилитель с дополнительной симметрией) (рис. 11.9). Транзисторы усилителя работают в режиме класса В. При поступлении на вход усилителя положительной полуволны напряжения u_вх транзистор Т₁ работает в режиме усиления, а транзистор Т₂ – в режиме отсечки. При поступлении отрицательной полуволны транзисторы меняются ролями.

Рис. 11.9. Бестрансформаторный двухтактный усилитель мощности

Максимально возможная мощность нагрузки определяется выражением

.

При максимальной мощности нагрузки усилитель потребляет от источников питания мощность, определяемую выражением

.

Отсюда получаем максимально возможный коэффициент полезного действия усилителя

.

Для уменьшения нелинейных искажений обеспечивают некоторое начальное смещение на входах транзисторов и тем самым переводят их в режим класса АВ (рис. 11.10). При этом коэффициент полезного действия несколько уменьшается.

Рис. 11.10. Двухтактный усилитель АВ-класса

Рассмотрим двухтактный усилитель мощности с операционным усилителем (рис. 11.11). В схеме использована общая отрицательная обратная связь (резисторы R₁ и R₂), охватывающая оба каскада (на операционном усилителе и на биполярных транзисторах), благодаря которой схема создает настолько малые нелинейные искажения, что часто не требует дополнительных цепей смещения для каскада на транзисторах Т₁ и Т₂.

Рис. 11.11. Двухтактный усилитель мощности с операционным усилителем

Поскольку напряжение на нагрузке R_н примерно равно напряжению на выходе ОУ, то мощность на выходе всего усилителя ограничивается выходным напряжением ОУ.

я диаграмма собственного полупроводника. Ширина запрещенной зоны. Распределение Ферми. Температурный потенциал.
Примесный полупроводник n-типа. Уровень Ферми. Зонная диаграмма примесного полупроводника. Концентрация дырок и электронов. Примесный полупроводник р-типа. Уровень Ферми. Зонная диаграмма примесного полупроводника р-типа. Концентрация дырок и электронов.
Температурный диапазон работы примесных полупроводников. Уравнение нейтральности. Термогенерация. Рекомбинация. Скорость рекомбинации. Время жизни. Закон действующих масс
Токи в полупроводниках. Дрейфовый и диффузионный токи. Уравнения непрерывности и диффузии. Стационарное уравнение диффузии. Зависимость плотности диффузионного тока от координаты. Ток рекомбинации.

Дата добавления: 2015-05-26