Схемы включения транзистора. Транзистор можно использовать для усиления сигнала

1. Схема с общей базой (ОБ)

Рис.1-16 Схема ОБ

Транзистор можно использовать для усиления сигнала. Если U_кб >>U_эб и R_к >> R_э, тогда при почти одинаковых токах в цепи эмиттера и коллектора на R_к будет значительно большее падение напряжения чем на R_э, то есть происходит усиление напряжения, а значит и мощности сигнала.

2. Схема с общим эмиттером (ОЭ):

Рис.1-17 Схема ОЭ

Транзистор включенный по схеме ОЭ усиливает как напряжение так и ток. I_э = I_к + I_б и I_к = βI_б+(β+1)I_кб0, где β – коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером. β=α/(1-α), зависит от толщины базы и находится в пределах β=10 – 200.

3.Схема с общим коллектором (ОК)

Рис.1-18 Схема ОК

В этой схеме U_вых < U_вх, но U_{вых ≈} U_вх то есть усиление по напряжению не происходит, но усиливается ток приблизительно в β раз. Поэтому схема называется эмиттерный повторитель (повторяет напряжение).

Характеристики транзистора (схема ОБ)

Рис.1-19 1,2 Входная и выходная характеристики

1. Входные характеристики: I_э =f(U_эб) при U_кб =const.

2. Выходные характеристики: I_к=f(U_кб) при I_э =сonst.

3 Проходные характеристики: I_к=f(I_э) при U_кб =const.

Рис 1-19 Проходная характеристика

При Uк = 0 входная характеристика является прямой ветвью BАX эмиттерного р-n - перехода. С ростом Uкб ВАХ смещается влево, так как рост обратного тока коллектора дополнительно открывает р-n переход и Iэ ≠ 0 при Uэб = 0. Для Iэ= 0 выходная характеристика является обратной ветвью коллекторного перехода. Если же Iэ> 0, то Iк> 0 даже при Uкб = 0 за счет захвата инжектированных эмиттером носителей заряда полем потенциального барьера коллекторного перехода. При этом с ростом Uэб Iэ быстро достигает максимального значения, так как уже при малых Uкб основная часть инжектированных носителей захватывается коллектором.

Дата добавления: 2015-06-04