Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Порядок выполнения эксперимента. Экспериментальная часть




Экспериментальная часть

Общие сведения

Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных транзисторов

Биполярные транзисторы

Транзистор (рис. 4.1.1) представляет собой полупроводниковый триод, у которого тонкий р -проводящий слой помещен между двумя n -проводящими слоями (n-p-n транзистор) или n -проводящий слой помещен между двумя р -проводящими слоями (p-n-p транзистор).

p-n переходы между средним слоем (база) и двумя крайними слоями (эмиттер и коллектор) обладают выпрямительным свойством, которое можно исследовать как в случае любого выпрямительного диода.

 

 

Рис. 4.1.1

 

 

Задание

Снять вольтамперные характеристики эмиттерного и коллекторного p-n переходов транзисторов типа p-n-p и типа n-p-n в прямом направлении. Убедитесь, что в обратном направлении токи через эти p-n переходы ничтожно малы.

 

  • Соберите цепь согласно схеме (рис. 4.1.2а).
  • Поочередно устанавливая значения токов IПР регулятором напряжения источника, измерьте соответствующие значения напряжения на p-n переходе UБЭ и занесите их в табл. 4.1.1.
  • Измените схему в соответствии сначала с рис. 4.1.2б, затем 4.1.2в и 4.1.2г и повторите все измерения.

 

 

 

Рис. 4.1.2

 

  • На рис. 4.1.3 постройте графики IПР (UПР) для каждого случая и убедитесь, что вольтамперные характеристики всех p-n переходов практически совпадают.
  • Установите входное напряжение источника равным нулю, поменяйте его полярность (зажим «+» на «—») и увеличивая напряжение до 5 В (но не выше!), убедитесь, что ток в p-n переходе практически остается равным нулю (не превышает 1 μА).
  • Проделайте этот с остальными p-n переходами согласно схеме на рис. 4.1.2 при обратной полярности источника питания.

 

Таблица 4.1.1

 

IПР, мА Транзистор n-p-n Транзистор p-n-p
UБЭ, В UБК, В UЭБ, В UКБ, В
         
         
         
         
         
         

 

 

Рис. 4.1.3

 

Вопрос 1: Каковы общие свойства обоих p-n переходов транзисторов двух типов?

Ответ:................................

 

Вопрос 2: Каковы отличия p-n переходов в двух типах транзисторов?

Ответ:..............................

 


 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-26; Просмотров: 586; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.008 сек.