Порядок выполнения экспериментов

Экспериментальная часть

Общие сведения

Характеристики транзистора

Свойства транзисторов описываются следующими четырьмя семействами характеристик.

Входная характеристика показывает зависимость тока базы I_Б от напряжения в цепи база/эмиттер U_БЭ (при U_КЭ = const).

Выходная характеристика показывает зависимость тока коллектора I_К от напряжения цепи коллектор/эмиттер U_КЭ при различных фиксированных значениях тока базы.

Характеристика управления представляет собой зависимость тока коллектора I_К от тока базы I_Б (при U_КЭ = const).

Характеристика обратной связи есть зависимость напряжения цепи база ¤ эмиттер U_БЭ, соответствующего различным неизменным значениям тока базы, от напряжения цепи коллектор/эмиттер U_КЭ при различных фиксированных значениях тока базы.

Задание

Снять экспериментально и построить графики четырех семейств характеристик биполярного транзистора n-p-n типа.

• Соберите цепь согласно схеме (рис.4.3.1). Потенциометр 1 кОм используется для регулирования тока базы, резисторы 100 и 47 кОм – для ограничения максимального тока базы. Измерение тока базы I_Б и напряжения U_БЭ производятся мультиметрами на пределах 200 μА и 2 В соответственно. Регулирование напряжения U_КЭ осуществляется регулятором источника постоянного напряжения, ток коллектора I_К и напряжение U_КЭ измеряются виртуальными приборами (пределы измерения коннектора изменяются в ходе работы по мере необходимости или по подсказкам компьютера).

• Установите первое значение тока базы 20 μА и изменяя напряжение U_КЭ согласно значениям, указанным в табл. 4.3.1, снимите зависимости I_К (U_КЭ) и U_БЭ (U_КЭ). Повторите эти измерения при каждом значении I_Б, указанном в таблице.

Рис.4.3.1

Примечание: характеристики транзистора изменяются в ходе работы из-за его нагрева. Поэтому для большей определенности рекомендуется установить нужные значения I_БЭ и U_КЭ, выключить на 30 с блок генераторов напряжений, затем включить его и быстро записать показания приборов V1 и A2.

Таблица 4.3.1

UКЭ, В	IБ = 20 μА	IБ = 40 μА	IБ = 60 μА	IБ = 80 μА
IК, мА	UБЭ, В	IК, мА	UБЭ, В	IК, мА	UБЭ, В	IК, мА	UБЭ, В
0,5

• На рис. 4.3.3 постройте графики семейства выходных характеристик I_К (U_КЭ) и семейство характеристик обратной связи U_БЭ (U_КЭ), не забыв указать какому току базы соответствует каждая кривая.
• Установите U_КЭ = 0 и изменяя ток базы в соответствии со значениями, указанными в табл. 4.3.2, снимите зависимость U_БЭ (I_Б), Увеличьте напряжение U_КЭ до 5 В и снова снимите зависимость U_БЭ (I_Б), а также и I_К (I_Б). Повторите этот опыт также при U_КЭ = 15 В. (При проведении этих измерений также учитывайте примечание к предыдущему опыту).
• На рис. 4.3.3 постройте графики входных I_Б (U_БЭ) и регулировочных I_К (I_Б) характеристик, указав для каждой кривой соответствующие значения U_КЭ.

Таблица 4.3.2

IБ, μА	UКЭ = 0 В	UКЭ = 5 В	UКЭ = 15 В
UБЭ, В	IК, мА	UБЭ, В	IК, мА	UБЭ, В	IК, мА

Рис. 4.3.3

Дата добавления: 2015-06-26