Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Рис. 6.1. Устройство транзи- стора IGBT и обозначение его на схеме.

Эти транзисторы выполнены как сочетание входного полевого транзистора с изолированным затвором и выходного биполярного п-р-п -транзистора. В международной классификации они называются IGBT (insulated gate bipolar transistors). Обозначение таких транзисторов на схеме также подчеркивает их гибридность (рис. 6.1).

Транзисторы IGBT применяются для управления мощными электродвигателями (до нескольких мегаватт). Они имеют рабочее напряжение до нескольких киловольт и рабочий ток до 2-3 килоампер. Алгоритмы управления могут быть очень гибкими. Как правило, они реализуются с помощью микропроцессоров и обеспечивают самые разнообразные режимы работы электродвигателей. Благодаря этому электроприводы на основе транзисторов IGBT применяются все шире.

Транзистор IGBT работает только в ключевом режиме, то есть, он или полностью открыт, или полностью закрыт. Включение и выключение происходит в течение долей микросекунды. Благодаря этому рассеиваемая транзистором мощность не превышает 1-2 киловатт, что составляет очень малую долю мощности нагрузки и обеспечивает к.п.д. двигателя порядка 98%.

В открытом состоянии напряжение коллектор-эмиттер составляет 1-3 В. ВАХ открытого транзистора IGBT похожа на прямую ветвь ВАХ диода.

Дата добавления: 2015-06-04