Тема 2.2. Биполярные транзисторы

Тема 2.1. Проводимость полупроводников, р-n-переход. Полупроводниковые диоды

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

Проводимость полупроводников (п/п), виды носителей зарядов, собственная и примесная проводимость п/п, р-n-переход. Энергетическая диаграмма р-n-перехода, прямое и обратное включение, уравнение токов, вольт-амперная характеристика (ВАХ) и виды пробоя р-n-перехода. Полупроводниковые диоды: виды, система УГО, особенности практического использования. Сравнительный анализ эксплуатационных и предельных электрических параметров (U_пр., I_обр., U_обр.мax., I_пр.ср., I_{пр. имп.}, f_пред., T_max) из справочной литературы для п/п диодов, изготовленных из различных материалов (Ge, Si, GaAs, Se) и по разным технологиям (сплавные, диффузионные, планарные и т. д.), с учетом электрических потерь, надежности, конструктивных особенностей. Стабилитроны, терморезисторы, варисторы, тензорезисторы.

Контрольные вопросы

0. Расскажите об электронно-дырочном переходе.

1. Какие основные электрические параметры выпрямительных диодов вам известны?

2. Для каких целей используются стабилитроны? Как это объяснить, используя ВАХ?

3. Собственная и примесная проводимости полупроводников.

4. Какой вид имеют вольт-амперные характеристики выпрямительного диода и стабилитрона? Объясните разницу.

5. Как образуется примесный полупроводник (донорный и акцепторный)?

6. Объясните процесс образования полупроводников р- и
n-типов.

7. Какие исходные материалы используются для изготовления полупроводников и почему?

8. Температурные свойства диодов.

9. На каком принципе основана работа туннельного диода, терморезистора, варистора и тензорезистора?

Структура двух видов биполярных транзисторов (БТ) – прямой проводимости (р-n-р) и обратной проводимости (n-р-n), принцип действия, краткие сведения по технологии изготовления. Схемы включения БТ: общая база (ОБ), общий эмиттер (ОЭ) и общий коллектор (ОК). Свойства схем включений и анализ статических характеристик, уравнения токов электродов БТ, особенности применения. Анализ свойств и особенностей практического использования различных схем включения БТ.

Контрольные вопросы

0. Как работает транзистор типа p-n-p? Поясните на схеме включения.

1. Изобразите входную характеристику транзистора при включении с общим эмиттером. Объясните.

2. Изобразите семейство выходных характеристик транзистора при включении с общим эмиттером. Объясните.

3. Расскажите о семействах статических характеристик транзистора.

4. Изобразите схемы включения биполярных транзисторов типов p-n-p и n-p-n в режимах отсечки, насыщения и активном.

5. Как определяются h-параметры по статическим, гибридным характеристикам транзистора?

6. Опишите схемы включения биполярного транзистора: с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором.

7. Расскажите об известных вам разновидностях транзисторов по конструктивно-технологическому признаку.

8. Чем объяснить принципиальную возможность усиления электрических сигналов с помощью транзистора?

9. Какая схема отличается большей температурной стабильностью – с общей базой или с общим эмиттером? Ответ объясните.

Дата добавления: 2015-06-04