Переход металл - полупроводник

В современных полупроводниковых приборах помимо контактов с электронно-дырочным переходом применяются также контакты Ме-п/п. Процессы в таких переходах зависят от работы выхода эл-нов,т. е. от той W, кот должен затратить эл-н,чтобы выйти из Ме или п/п. Чем < работа вых,тем > эл-нов мо­жет выйти из дано тела.

Если в контакте Ме с п/п n-типа(рис. 2.5 ,а) раб выхода эл-нов из Ме А_М <, чем из п/п А _п,то будет преобладать выход эл-нов из Ме в п/п-к.Поэтому в слое п/п-ка около границы накап-ся основные но­сители (эл-ны), и этот слой стано­вится обогащенным,т. е. в нем конц-ция эл-нов.Со­пр этого слоя будет малым при люб полярности приложенного U, и, => такой переход не обладает выпрямляющими свойства­ми. Подобный же невыпрямляющий переход получается в контакте Ме с п/п p-типа(рис.2.5,6),если раб выхода эл-нов из п/п <, чем из Me (А_П<A_М) в этом сл из п/п в Ме уходит > эл-нов,чем в обратном на­правлении, и в приграничном слое п/п-ка также образуется область, обогащенная основными носителями (дырками), имеющая малое сопр. Оба типа невыпрямляющих контак­тов широко исп-ся в п/п-х приборах при устройстве вы­водов от n- и p-областей.

Иные свойства имеет переход, пока­занный на рис. 2.5, в. Если в контакте Ме с п/п n-типа А_п < А_M то эл-ны будут переходить из п/п в Ме и в приграничном слое п/п образуется область, обед­ненная основными носителями. Здесь создается о высокий потенц барьер, высота кот будет сущ-но изменяться в зав-ти от полярности прилож-го U. Такой переход обладает вы­прямляющими св-вами.Потенц барьер,возникающий в данном сле, наз-т барьером Шотки, а диоды с этим барьером - диодами Шот­ки. В них отсутствуют процессы накопления и рассасывания зарядов неосновных но­сителей, характерные для электронно­дырочных переходов. Поэтому диоды Шотки обладают значительно более вы­соким быстродействием, нежели обычные диоды, так как накопление и рассасы­вание зарядов — процессы инерционные, т. е. требуют времени.

Дата добавления: 2015-06-04