Статические характеристики с ОЭ

На схеме с ОЭ управляющим током является ток Б. Выходные коллекторные хар-ки выражаются в виде зависимости

Входные (базовые) хар-ки описываются зависимостью:

Рассмотрим эти хар-ки:

А) выходные хар-ки Б) Входные хар-ки

I. I– нормальный активный режим; II– режим насыщения;

II. III– пробой коллекторногоp-n-перехода

Пунктиром – реальные по расчёту,cплошной– полученные с помощью модели Эверса-Мола

Ан-но как с ОБ,но вых ВАХ имеют особенности, а именно области норм активного реж и реж насыщения расположены в одном 1 квадранте, т.е. режим двойной инжекции в схеме с ОЭ возникает не при ‘-‘ потенциале на К как в схеме с ОБ, а при малых ‘+’ напряж К, достаточных чтобы U на К было <, чем на Б. В сх с ОЭ по сравнению со схемой сОБ вых хар-ки идут круче, ток насыщения >, а пробивное U <.(рис)

Это объясняется тем, что в с ОЭ в отличие от ОБ выходное U К-Э частично приложено и к эмиттерному переходу.

Поэтому с U К-Э, и U Б-Э и ток К. Выходные ВАХ имеют след основные особенности: в режиме насыщ при U_К<U_Б базовый ток существенно по сравнению с нормальным активным режимом, т.к. в этом случае ток Б образуется в рез-те инжекции из 2|| включенных p-n-переходов – Б-Э и Б-К.

25. Схема включения и режимы работы биполярных транзисторов

существует 3 схемы включения тр-ра: а- ОБ;б-ОЭ; в-ОК

У всех схем включения коэф-т усиления по мощности >1

Схема с ОБ, по сравнению с ОЭ и ОК характеризуется самым низким входным и самым высоким вых сопр-м. В схеме с ОБ K_J =(Jвх/Jвых)<1, а коэф усиления по U: K_U=(Uвх/Uвых)>1. Схема с ОЭ хар-ся отн-но высоким входным и выходным сопротивлениями, поэтому в этой схеме K_J>1,K_U>1. Схема с ОК обладает самым большимвходным и самым низким выходным сопротивлениями, в этом случае K_J>1,K_U<1. Схема сОБ обладает хорошими частотными хар-ми, т. к. в этой сх облегчен процесс рассасывания НЗ, кроме этого она позволяет наглядно раскрыть физику тр-ра, однако она имеет небольшое усиление по току и имеет малое входное сопр в связи с этим мало исп-ся в электронных схемах. На практике максимальное применение в эл схемах получили схемы с ОЭ, т.к. они имеют приличное усиление по току и по напряжению. Режимы работы БТр

Существует 4 режима работы:1)Нормальный активный;2)насыщения 3)Отсечки 4)Инверсный активный.

Норм активный реж обеспечивается прямым включением эмиттерного перехода и обратным коллекторного. В режиме насыщения эмиттерный и коллекторный переходы

включены в прямом направлении, т. е. оба осущ-т инжекцию НЗ в Б. В реж отсечки эмит-ный и кол-ный переходы включены в обрат направлении. В инверсном активном реж кол-ный переход вкл-ся в прямом, а эмиттерный в обратном направлениях. В норм активном и инверсном активном режимах тр-р работает как усилит прибор.В инверсном режиме слаболегированный К не обеспечивает достаточно высокого коэф-та инжекции, в рез-те чего резко усиление.В инверсном режимекоэффициент передачи коллекторного тока можно описать равенством:

23. Параметры биполярного транзистора

Основными параметрами БТ является коэффициент передачи эмиттерного тока . Условие устраняет модуляцию Базы, которая происходит за счёт флуктуации напряжения К-Б (эффект Эрли). Это условия фактически полностью устраняет влияние выхода на вход, и следовательно стабилизирует численное значение отношения J_{k ­}/J_Э . Коэффициент передачи в большинстве практических схем включения тр-ра близок к 1 =0,95…0,995).Отметим, что нижний предел – самый плохой тр-р Коэф-т передачи опр-ся двумя параметрами связанных произведением: , где γ-коэф инжекции, -коэф переноса свободных НЗ

Дата добавления: 2015-06-04