Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Работа тр-ра в импульсном режиме




Параметра МДП транзисторов.

МДП транзистор характеризуется следующими малосигнальными параметрами:

1)крутизной S. Крутизна в обл насыщения опр-ся из выражения: S = S0 (UЗИ -UП) (8)

при выполнении равенства (UЗИ -UП) =1 В, вып-ся равенство S = S0

Отсюда получим зависимость: S = (9)

2) внутренним сопр в реж насыщения:

3)Из выше приведенного получим коэффициент усиления

типичные значения коэффициента усиления МДП транзисторов лежат в диапазоне 50–200.Это значит < че у БП. Однако габариты МДП тр-ра <,а технология изгот проще.

 

При работе в импульсном (ключевом) режиме транзисторы включаются по схеме с ОЭ (см.рис.)

RБ –омическое сопр п/п материала.В процессе прохождения импульса тока тр-р работает в трех режимах одновременно.В промежутке м/у импульсами тр-р находится в режиме отсечки, в момент переключения в нормальном активном и в момент прохождения в режиме насыщения (двойной инжекции). В исходном состоянии

тр-р всегда находится в режиме отсечки (см. рис.)

а) – импульс тока базы;б) – импульс тока коллектора; в) – распределение в базе инжектированных нз в различные моменты t формирования коллекторного тока: 1) фронта

2) насыщения;3) рассасывания;4) среза.

В момент изменения направления тока базы наблюдается небольшой спад тока коллектора,связанный с изменением падения напряж на объемном сопр-нии базы. Далее в течении времени tр ток коллектора мало изменяется до тех пор пока накопленные в базе нз не уйдет из него или не рекомбинируют.Время в течение кото тр-р находится в

режиме насыщ-я после окончания импульса прямого базового тока наз-ся временем рассасывания tp, оно зависит от конструкции тр-ра, материала и значения тока Jб. После

окончания процесса рассасывания тр-р переходит в режим отсечки в течении времени tc.Т о при прохождении импульса тока через тр-р не изменяется не только форма

импульса, но и его длит-ть. Времена tЗ, tР, tН, tС определяют быстродействие и частотные св-ва тр-ра. При включении тр-ра по схеме с об процесс протекания коллекторного импульса протекает аналогично.

 

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-04; Просмотров: 438; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.