Особенности полевых транзисторов

Статические характеристики полевых транзисторов.

Выходные передаточные хар-ки пол транз-ра хар-ся след

pавис-тью.

С приложением к стоку(С) + отн-но истока(И) напряж, по каналу проходит I и U_обр на переходе изменяется вдоль оси Х, по направлению к С. Поэтому толщина обедненного слоя будет , а толщина канала

по направл к С, и при достаточно больших напряж-ях произойдет пробой (объединение обедненных областей). В общем сл отсечка канала происходит при: U_З = |- U_{ЗО т|} =| -| U_ЗИ | + U_СИ (12) В результате отсечки канала происходит насыщение тока C. U, при кот I насыщается:

U_СН = U_СИ = |- U_{ЗО т} |- |- U_ЗН | (13)

Передаточные характеристики отличаются от статических тем, что у пол транз-ров вых I проходит при одной полярности U.

Отличаются малым уровнем собственных шумов, стабильностью во времени. Это объясняется тем, что вых I в пол транз-ре протекает в монокристалле, в кот отсутствуют поверхностные дефекты структуры. Дефекты структуры явл-ся основн источниками шумов, а => снижения стабильности. Пол транз-ры защищены от перегрузок знач лучше, чем МДП транзисторы. Явл-ся неполярными приборами, нечувствительны к дефектам наполнения неосновных нз.

Дата добавления: 2015-06-04