Туннельные диоды

В тун диоде нз проходят сквозь потенц барьер за счет тун

эффекта под кот понимаем преодоление нз потенц барьера, когда его полная энергия < высоты барьера.Туннельный диод имеет ВАХ N-типа.

ОП – участок ‘-‘ проводимости

(14)

Другие электронные приборы имеют ВАХ S-типа.

ОС – уч-к “-“ сопр-я:

(15)

Приборы с

“-“ сопр-м и

“-“ проводимостью обладают широкими функцвозможностями.В тунх диодах обль “-“пров-ти

практически не зав-т от частоты вплоть до миллиметрового диапазона. Наличие широкополосной “-“ пров-ти и резкой нелинейности ВАХ позволяет исп-ть тун диоды в усилителях, генераторах, входят в схемы триггеров. Тун диоды изготавливают на основе сильнолегированных п/п-в, в кот уд сопр-е слабо зависит от темп-ры. Тун диоды могут работать в пределах от сотен С, до абс 0.В тун диодах ширина ОПЗ до 10-8 м, при такой ширине резко

прозрачность для туннелирующих эл-нов. Большая конц-ция примесей в тун диоде приводит к расщеплению примесных уровней, сливаются зоны проводимости в

n-п/п-ке и с валентной зоной в p-п/п-ке, происходит вырождение n и p областей. Если на такой диод небольшое прямое напряжение U > 0, то эл-ны из ЗП будут туннелировать на свобуровни. С прямого смещения

прямой тунн ток , и достигает своего макс значения, когда

макс конц-ции эл-нов в примесной зоне будет соответствовать макс число уровней в ВЗ. При дальнейшем прямого смещения перекрытие будет , что приведет к тун тока и когда будет выполнено условие E_C = E_V, туннелирование эл-нов прекращается, ток при этом до нуля не . При обратном смещении U < 0 расстояние d и туннелирование усиливается, обратный ток лавинно нарастает. Следовательно, туннельный диод обладает высокой проводимостью при обратном смещении.

Дата добавления: 2015-06-04