Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Комплиментарные МДП транзисторы




Конструкция такого транзистора представляет собой два гальванически связанных транзистора

содержащих n и p каналы (см. рис.)

Комплиментарные транзисторы отличаются: малой потребляемой мощностью в статическом режиме (10-8 Вт) т. к. один из транзисторов постоянно закрыт, высоким быстродействием, что обусловлено поочередной работой транзисторов, высокой помехозащищенностью, достигающей 40% в режиме питания. Принцип работы заключается в том, что при подаче на вход + смещения работает транзистор 1, при подаче - смещения на вход

нет необходимости рассасывать объемный заряд в области сток-исток для подготовки транз-ра 1 к исходному состоянию, т. к. этот сигнал будет обслуживать транзистор 2. ‘- ‘ сигнал на затворе транзистора 2 притянет эл-ны к пов-ти и создаст структуру p+pp+, пока работает транзистор 2, транзистор 1 успевает перейти в исходное состояние, для приема сигнала + полярности.

 

32. МДП транзистор со встроенным каналом.

Если область канала h отлегировать n-типом проводимости, то в исходном состоянии образуется

структура n+n n+. Если на затвор подать ‘-‘ U, то эл-на канала h будут оттеснены вглубь объема подложки. Между стоком и истоком образуется структура n+pn+, т. е. подачей ‘-‘ напряжения на базу можно изменить сопр канала, а => и коэф-нт усиления транзистора. Поскольку в таких транзисторах только при U3=0значение порога напряж теряет для них смысл, и вводится параметр напряж отсечки. Напряж отсечки это знач напряж, при котм равновесные эл-ны уходят из встроенного канала, в рез-те чего цепь исток-сток разрывается.

 

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-04; Просмотров: 942; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.012 сек.