Комплиментарные МДП транзисторы

Конструкция такого транзистора представляет собой два гальванически связанных транзистора

содержащих n и p каналы (см. рис.)

Комплиментарные транзисторы отличаются: малой потребляемой мощностью в статическом режиме (10^-8 Вт) т. к. один из транзисторов постоянно закрыт, высоким быстродействием, что обусловлено поочередной работой транзисторов, высокой помехозащищенностью, достигающей 40% в режиме питания. Принцип работы заключается в том, что при подаче на вход + смещения работает транзистор 1, при подаче - смещения на вход

нет необходимости рассасывать объемный заряд в области сток-исток для подготовки транз-ра 1 к исходному состоянию, т. к. этот сигнал будет обслуживать транзистор 2. ‘- ‘ сигнал на затворе транзистора 2 притянет эл-ны к пов-ти и создаст структуру p⁺pp⁺, пока работает транзистор 2, транзистор 1 успевает перейти в исходное состояние, для приема сигнала + полярности.

32. МДП транзистор со встроенным каналом.

Если область канала h отлегировать n-типом проводимости, то в исходном состоянии образуется

структура n+n n+. Если на затвор подать ‘-‘ U, то эл-на канала h будут оттеснены вглубь объема подложки. Между стоком и истоком образуется структура n⁺pn⁺, т. е. подачей ‘-‘ напряжения на базу можно изменить сопр канала, а => и коэф-нт усиления транзистора. Поскольку в таких транзисторах только при U₃=0значение порога напряж теряет для них смысл, и вводится параметр напряж отсечки. Напряж отсечки это знач напряж, при котм равновесные эл-ны уходят из встроенного канала, в рез-те чего цепь исток-сток разрывается.

Дата добавления: 2015-06-04