![]() КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Стабилитроны
а)идеалВАХ стаб-на б)сх включения стаб-на.До наступления пробоя стаб-ны им очень большое статическое сопр порядка 1МОм, а после пробоя очень дифференциальное сопр порядка 1..50Ом. Знач U стабилизации Uст опр-ся видом пробоя, уровнем легир-ния n и p обл-й, и как правило, находится в пределах от 3 до 200В.Стаб-ны изг-ют в основном из кремния, обеспечивая низкий ток насыщения. Принцип работы. Стаб-ны всегда вкл-т в режим стабилизации || нагрузке (см. б). В неразветвленную часть цепи включают балластный резистор R 0, сопр, кот должно быть существенно > дифференц-го сопр стаб-на Rд. Осн задача R 0 не дать развиться лавин процессу,и при J max дейст-но вып-ся это усле, т.е. вся мощность падает на R 0,что ограничивает распространение лавин процесса. Чем > отношение R0/R д, тем лучше стабилизация, и тогда ток стаб-ции можно описать равенством: Jст =(J max+ J min)/2. U ист-ка питания Uи. п. опр-ся как сумма падения U на стаб-не и балластном сопри: Uи. п. = Uст + R 0 (Jн + Jст) (3.1) Нестаб-ть вых U вызвана: нестаб-тью вх напряж U и.п и нестаб-тью сопря нагрузки Rн => и тока.Пусть входное U изменяется в пределах из (3.2) следует: При изменении тока нагрузки Jн, ток через стаб-н устан-ся таким, что ток J 0, U на стаб-не Uст остаются практически пост. Пусть Rн
3. Электронно-дырочный переход – это тонкий переходный слой в п/п материале м/у двумя обл-ми с различными типами электропров-ти: одна N-типа, другая P-типа. он является основным элементом многих полупроводниковых приборов. P-N переход получают в едином кристалле п/п, вводя в одну область донорную примесь, а в другую – акцепторную. При этом атомы акцепт примеси, присоединив к себе эл-ны атомов собств п/п, образуют п/п материал с дырочной проводимостью (P), а атомы донорной примеси, отдают эл-ны, кот становятся своб-ми, образуя п/п материал с электронной проводимостью (N). Т о образуется P и N области. В каждой области кроме основных НЗ имеются и неосновные, конц-ция кот значительно <, чем основных. Распределение концентраций показано на рисунке. Разность конц-ций приводит к диффузии эл-нов из обл N, в область P, и дырок из обл P в область N. Эта диффузия создаёт ток диффузии (т.е. ток, возникающий вследствие неравномерного распред НЗ по объёму кристалла), = сумме электронного и дырочного токов. Принято считать, что направление диффузионного тока совпадает с направлением тока дырок. Iдиф=In диф+Ip диф Уход неосновных НЗ в соседнюю область приводит к возникновению в обоих слоях объёмных неподвижных зарядов, в рез чего в P-N переходе создаётся эле поле, направленное от области N к области P. Это поле является потенц барьером для дальнейшей диффузии основных носителей, но способствует переходу через границу неосновных носителей.
I др = I p. др + I n. др При отсутствии внешнего эл поля, м/у дрейфовым и диффуз токами устанавливается динамическое равновесие. I др = I дифф
27. Статические характеристики в схемах транзистора с ОБ Статхар-ки опред-т соотношения м/у U -ми и I-ми при отсутствии перех процессов, поэт устанавливают макс достижимые параметры данного конкретного тр-ра Стат хар-ки делят на входные и выходные.В схеме сОБ управляющим током яв-ся ток Э. Выходн коллекторные хар-ки в этом сл выраж-ся завис-тью: а входные эмиттерные хар-ся: Построим выходные хар-ки пользуясь моделью Эберса-Мола: I– норм активный режим,II– реж насыщения,III– реж лав пробоя. JnЭ , JnK, JnБ -потоки эл-нов инжектированных из Э. J’nЭ , J’nK, J’nБ - потоки эл-нов инжектированных из К в зоне 1 они = 0. Реальные хар-ки – пунктиром, сплошной – построенные по модели Эберса-Мола.Если инжекция из Э отсутствует (Jэ=0), то зав-ть тока К от напряжения К-Б представляет собой обычную ВАХ стандартного p-n-перехода, отличие в том, что на рассматриваемом рисунке обратная ВАХ находится в 1 квадрате, а прямая ветвь в 3. В рез-те инжекции из Э при n’(x),n”(x) - распределение НЗ инжектированных в базу из Э. эффект Эрли есть пост действу-й в момент прохождения эл/магнитного сигнала. Однако при изменении статических хар-тик тр-ра он яв-ся паразитным эффектом, т.к. может сущ-ным образом изменить хар-ки перехода. Поэтому при измерении статхар-ик используют режимы Х/Х и КЗ.
Дата добавления: 2015-06-04; Просмотров: 594; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |