МДП транзистор с индуцированным каналом

МДП транзисторы (МОП).

В транзисторах со структурой металл диэлектрик п/п принцип работы основанна модуляции сопротивления канала, на поверхности полупроводника под воздействием эффекта поля. МДП транзисторы явл-ся униполярными приборами т. к. их работа основана на использовании только одного типа носителей заряда или электронов или дырок. Процессы инжекции в МДП транзисторе не используются из-за их полного отсутствия (инжекция возможна только при наличии контакта полупроводников с разными типами проводимости). Существует две структуры МДП транзисторов с индуцированным каналом или со встроенным.

Схема конструкции транзистора этого вида имеет вид:

В п/п-вой подложке p-типа сформировано 2 высоколегированные n ⁺ области –исток и сток. Металлический электрод – затвор(З) отделен от подложки тонким слоем диэлектрика.Основными параметрами МДП транзистора являются: длина канала – l; ширина канала – b;

толщина слоя диэлектрика – t; глубина переходов n ⁺ области – W n; уровень легирования подложки – n _a.

Управляющей цепью в МДП транз-ре явл-ся цепь затвора, управляемой – цепь И-С.Упр цепь практически не потребляет тока, поскольку в нее входит участок с

диэлектриком. Поэтому в МДП транз-ре получается значит усиление мощности,намного >, чем в БП. Если U на затворе отсутствует то эл цепь И-С представляет собой 2 встречновключенных n⁺p перехода. Поэтому при любой полярности напряжения И-С один из переходов смещается в обратном направлении и в вых цепи будет протекать ток обратносмещенного p-n перехода. Если к З приложен достаточно большой + потенциал, в p области образуется

(индуцируется) инверсный канал за счет притяжения эл-нов из объема подложки к поверхности,возникает структура n⁺n n⁺.Проводимость инверсного канала (коэффициент усиления) изменяется при изменении потенциала на З. Напряж на З при кот образ-ся канал называется пороговым напряжением и обозначается U_П. Если в качестве подложки исп-ть п/п-к n-типа, а обл И и С выполнить с электропроводностью p⁺-типа, то сформируется p-канальный МДП транзистор.

Дата добавления: 2015-06-04