Основные характеристики и параметры работы фоторезисторов

1) ВАХ – хар-ся зав-тью светового тока (фототока) при неизмен вел-не свето потока Ф - const, а также темнового тока, от приложенного к фоторез-ру напряж.Темновой ток протекает в фоторезисторе при t = 23’ C и полной темноте, EФ = 0.2) Световая (Люкс-Амперная) характеристика – представляет собой завис-ть фототока от падающего света, всегда нелинейная.3) Спектральная характеристика – завис-ть фототока от длины волны, вытекающая из формулы кванта света: E_Ф = h v= 1,23/ .4) Рабочее напряжение – напряж при кот фоторез-р работоспособен в течение указанного в паспорте времени, т. е. его параметры должны изменяться в задан диапазоне.

5) Удельн интегральная чувствит-ть – отношение силы фототока к произведению свет потока на напряж, приложенное к прибору:

K = J _Ф/ФU. Чувств-ть наз-ся интегральной т. к. ее измеряют при освещении прибора потоком света сплошного спектрального состава.Величину K измеряют при освещении 200 Люкс источником света со

световой температурой 2800 К (с температурой нагретого железа).6) Пороговая чувствительность – минсветовой поток, обуславливающий появление в фотоприборе сигнала в 2e- раз превышающего амплитуду шума.

7) Темновое сопротивление – его вел-на опред-ся типом материала, технологией изготовления и конструкцией и конструкцией фотоприбора, темновые токи и сопротивления определяются через 30 сек. после затемнения фотоприбора, находившегося под освещением

200 Люкс.

38. Фотоприборы.

Приборы предназначенные для преобразования световой энергии в электрическую и наоборот. К 1 классу относят фотоприемники (фоторез-ры, фотодиоды, фототранз-ры и т. д.), ко 2 классу относятся светоизлучатели (светодиоды, п/п лазеры и т. д.).

Фотоприемники базируются на внешн или внутр фотоэффекте.Внешн ф/эффект – возникает при поглощении валентным эл-ном энергии E_Ф >> E_Св ,валентный эл-н получает кинет энергию достаточную для его перевода во внешн среду (эффект Столетова). Большинство исп-мых приборов в р/электронике исп-т внутр ф/эффект. Поглощение валентным эл-ном атома энергии фотона в рез-те кинет энергии эл-на недостаточно для перевода его во внешн среду, в этом сле возможны 2 варианта:1) E_Ф = E_Св, при отсутствии внеш полей валентн эл-ны не в состоянии покинуть потенц поле возникшего + иона, поэтому через некоторое время ион поглощает эл-н, образуя нейтральный атом.2) E_Ф > E_Св, избыток энергии, преобразуясь в кинет энергию движ эл-на,перебрасывает его за пределы действия потенцо поля возникшего + иона. Своб эл-н включаясь в тепловое движ проводимость кристалла (фотовентильный эффект).При подаче на кристалл внешнего эл поля и в первом и во втором случае происходит разделение - и + зарядов за счет дрейфа эл-нов против поля.Дрейф – это процесс перемещения эл-нов под действием эл или магнитного полей без прекращения теплового движения.Явл-е изменения проводимости под действием свет потоков наз-ся фоторезистивным.В чистом виде на этом эффекте построен фоторезистор.

43. Полевой фототранзистор.

Схема конструкции полевого фототранзистора имеет вид:

1 – просветляющая пленка, защищающая поверхность полупроводника от внешней среды;

2 – контакт истока;

3 – область истока n +;

4 – канал n-типа;

5 – область затвора p-типа;

6 – стоковая область n +;

7 – выводы стока и затвора.

R_НЗ – сопротивление нагрузки в цепи затвора;

R_НТр – сопротивление нагрузки фототранзистора.

Дата добавления: 2015-06-04