V1: Основы электроники

V1: Электромагнитные устройства и электрические машины. Синхронные машины.

I: {{ 1 }}; K=А

S: По какой формуле рассчитывается момент взаимодействия магнитных полей якоря и индуктора синхронной машины?

+:

I: {{ 2 }}; K=В

S: Какие из перечисленных требований являются обязательными при подключении синхронного генератора к трёхфазной сети?

+: одинаковая частота и фаза переменного тока

I: {{ 3 }}; K=В

S: Какой режим применяется для разгона мощных синхронных двигателей?

+: асинхронный пуск

I: {{ 4 }}; K=В

S: Какой из перечисленных параметров определяет основную область применения синхронных импульсных микродвигателей?

+: возможность поддержания высокой стабильности частоты вращения

I: {{ 5 }}; K=А

S: Какой из перечисленных типов двигателей применяют в качестве компенсаторов реактивной мощности?

+: синхронный двигатель

I: {{ 6 }}; K=А

S: От какого параметра зависит характер нагрузки синхронного двигателя?

+: от тока возбуждения

I: {{ 7 }}; K=В

S: По какой формуле рассчитывается частота вращения ротора синхронного двигателя?

+:

I: {{ 1 }}; K=А

S: В каких электронных приборах осуществляется преобразование электрического сигнала в световой и затем снова в электрический:

+: механоэлектрические

+: оптопары

I: {{ 2 }}; K=Б

S: Вид рабочей среды и тип носителей заряда в полупроводниковых приборах

+: полупроводник, электроны и дырки

I: {{ 3 }}; K=А

S: Параметры режима электронного прибора:

+: ток, напряжение

I: {{ 4 }}; K=Б

S: Математическая модель электронного прибора:

+: система дифференциальных уравнений

I: {{ 5 }}; K=А

S: Какую функцию выполняет конденсатор в источниках питания?

+: сглаживание

I: {{ 6 }}; K=Б

S: Модуляция это ###

+: изменение одного из параметров ВЧ сигнала под воздействием сигнала

I: {{ 7 }}; K=Б

S: Амплитудная модуляция это ###

+: изменение амплитуды несущего сигнала изменяется прямо пропорционально изменениям амплитуды модулирующего сигнала

I: {{ 8 }}; K=Б

S: Частотная модуляция это ###

+: изменение частоты несущего сигнала пропорционально мгновенным значениям модулирующего сигнала при постоянной амплитуде несущей

I: {{ 9 }}; K=Б

S: Фазовая модуляция это ###

+: изменение фазы несущего сигнала пропорционально амплитуде информационного сигнала

I: {{ 10 }}; K=А

S: Детектирование это ###

+: процесс, обратный модуляции

I: {{ 11 }}; K=А

S: Колебательный контур состоит только из ###

+: индуктивности и емкости

I: {{ 12 }}; K=А

S: Колебательный контур состоит из ###

+: все ответы не верны

I: {{ 13 }}; K=Б

S: Колебательный контур применяется для получения ###

+: резонанса

I: {{ 14 }}; K=А

S: Колебательный контур служит ###

+: генерирования сигнала определенной частоты

I: {{ 15 }}; K=А

S: Достоинство каскада усиления на полевом транзисторе ###

+: высокое входное сопротивление

I: {{ 16 }}; K=А

S: Закон Ома

+: U=IR

I: {{ 17 }}; K=А

S: Скважностью импульсов называют соотношение (Т – период, Т_u – длительность импульса):

+:

I: {{ 18 }}; K=А

S: Амплитудно-частотной характеристикой усилителя называют зависимость ###

+: коэффициента усиления от частоты входного сигнала

I: {{ 19 }}; K=А

S: Отрицательная обратная связь в усилителе ###

+: снижает искажения

I: {{ 20 }}; K=А

S: Усилитель низкой частоты есть ###

+: преобразователь электрической энергии источника в усиливаемый сигнал

V1: Контактные явления

I: {{ 1 }}; K=А

S: p-n переход образуется при контакте:

+: полупроводник- полупроводник

I: {{ 2 }}; K=А

S: Полупроводниковые приборы выполняются с использованием в качестве основного материала:

+: кремния

I: {{ 3 }}; K=А

S: Полупроводники по проводимости находятся ###

+: между диэлектриком и проводником

I: {{ 4 }}; K=А

S: К недостаткам полупроводниковых приборов относится ###

+: ограниченный температурный режим

I: {{ 5 }}; K=А

S: Для включения полупроводникового р-n перехода в прямом направлении необходимо

+: положительный полюс источника соединяют с выводом от p-области, а отрицательный - с выводом от n - области

I: {{ 6 }}; K=А

S: Состояние, когда р-n переходу ### называется нейтральным

+: не приложено никакое внешнее напряжение

I: {{ 7 }}; K=А

S: Для включения полупроводникового р-n перехода в обратном направлении необходимо ###

+: положительный полюс питания соединить с выводом от n-области, а отрицательный с р-областью

I: {{ 8 }}; K=Б

S: Что такое ширина запрещенной зоны?

+: Зона, разделяющая валентную зону и зону проводимости

I: {{ 9 }}; K=Б

S: Процесс образования свободных электронов в полупроводнике, называют:

+: генерация носителей заряда

I: {{ 10 }}; K=A

S: Что такое дрейф носителей заряда?

+: хаотическое движение носителей заряда под действием электрического поля

I: {{ 11 }}; K=Б

S: Диффузионное электрическое поле в p-n – переходе направлено:

+: от n-области к p-области

I: {{ 12 }}; K=A

S: Прямой ток протекает через p-n переход, когда полярность напряжения на p-n переходе следующая:

+: + p-n -

I: {{ 13 }}; K=А

S: При обратном включении диода внешнее электрическое поле и диффузионное поле в p-n-переходе совпадают по направлению?

+: да

-: нет

I: {{ 14 }}; K=A

S: За счёт чего возникают основные носители в полупроводниках?

+: за счёт добавления легирующих примесей

I: {{ 15 }}; K=A

S: За счёт чего возникают неосновные носители в полупроводниках?

+: за счёт ударной ионизации

I: {{ 16 }}; K=A

S: Рекомбинация носителей заряда это:

+: возникновение пар носителей заряда

I: {{ 17 }}; K=A

S: Возникновение пар носителей заряда называют:

+: рекомбинацией

I: {{ 18 }}; K=A

S: Движение носителей заряда под действием разности концентраций называется:

+: диффузией

I: {{ 19 }}; K=A

S: Примеси, атомы которых отдают электроны называются:

+: донорами

I: {{ 20 }}; K=A

S: Примеси, атомы которых отбирают электроны называются:

+: акцепторами

Дата добавления: 2015-06-04