V1: Приемники излучения

V1: Полупроводниковые лазеры

V1: Приборы с зарядовой связью

V1: Полупроводниковые элементы интегральных микросхем

I: {{ 1 }}; K=А

S: Особенность интегральных микросхем по сравнению с дискретными приборами:

+: электрическая связь с общей подложкой, параметры взаимосвязаны и ограничены

I: {{ 2 }}; K=А

S: Паразитный переход между коллекторным слоем и подложкой существует в интегральных:

+: n-p-n-транзисторах

I: {{ 3 }}; K=А

S: Интегральный p-n-p-транзистор характеризуется свойством:

+: электрофизической симметрии

I: {{ 4 }}; K=Б

S: В каком варианте диодного включения интегрального транзистора меньше пробивные напряжения перехода:

+: БК-Э, Б-Э

I: {{ 5 }}; K= А

S: В каких сериях логических интегральных микросхем применяют многоэмиттерный транзистор:

+: ТТЛ

I: {{ 1 }}; K=А

S: Прибор с зарядовой связью является:

+: динамическим прибором

I: {{ 2 }}; K=А

S: Принцип действия приборов с зарядовой связью основан:

+: на движении неосновных для подложки носителей заряда

I: {{ 3 }}; K=А

S: Как осуществляется передача зарядов в приборе с зарядовой связью:

+: при подаче постоянно изменяющегося по величине управляющего напряжения на затворы

I: {{ 4 }}; K=Б

S: Параметр прибора с зарядовой связью, зависящий от частоты изменения напряжения на секции переноса заряда:

+: коэффициент потерь

I: {{ 5 }}; K=Б

S: Какое направление применения приборов с зарядовой связью используется в телевидении:

+: преобразование излучения в электрический сигнал – фоточувствительные приборы с зарядовой связью

I: {{ 1 }}; K=Б

S: При каком виде накачки лазера излучение мощного некогерентного источника света поглощается рабочим веществом и происходит переход атомов из нижнего в верхнее энергетическое состояние:

+: оптической

I: {{ 2 }}; K=Б

S: Электрическая накачка осуществляется в лазерах:

+: газовых и полупроводниковых

I: {{ 3 }}; K=Б

S: Процесс генерации в лазере происходит благодаря:

+: усилению в активной среде и наличию положительной обратной связи

I: {{ 4 }}; K=Б

S: Спектр излучения инжекционного лазера зависит от:

+: выходной мощности

I: {{ 5 }}; K=А

S: В каком режиме работают инжекционные лазеры:

+: импульсном

I: {{ 6 }}; K=А

S: В каких лазерах торцевые поверхности оптического резонатора заменены дифракционной решеткой с лазерными диодами:

+: гетеролазерах с распределенной обратной связью

I: {{ 1 }}; K=А

S: Какой прибор обозначен ?

+: фотодиод

I: {{ 2 }}; K=Б

S: Какой фотоприбор состоит из химически чистого полупроводника?

+: фотодиод

I: {{ 3 }}; K=Б

S: Какой фотоприбор наиболее точно оценит силу света?

+: фотоэлемент

I: {{ 4 }}; K=А

S: Какой элемент относится к фотоэлектрическому приемнику излучения?

+: фоторезистор

I: {{ 5 }}; K=Б

S: На чем основан принцип действия фотоприемников:

+: на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах

I: {{ 6 }}; K=А

S: Назначение фотоэлемента:

+: преобразование световой энергии в электрическую

I: {{ 7 }}; K=А

S: Фотоприборы с высоким быстродействием:

+: p-i-n-фотодиод и лавинный фотодиоды

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»

Дата добавления: 2015-06-04