Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Симметричный мультивибратор




Генераторы прямоугольных импульсов.

 

Одним из наиболее распространенных генераторов импульсов прямоугольной формы является Мультивибратор, представляющей двухкаскадный усилитель с глубокой положительной обратной связью (выход одного транзистора через малое сопротивление конденсатора соединен с входом второго и наоборот).

Мультивибраторы могут работать в ждущем и автоколебательном режимах (он генерирует незатухающие колебания без запуска извне)

Рассмотрим работу мультивибратора в автоколебательном режиме (автогенератор). Такие мультивибраторы бывают симметричные и несимметричные.

 


Элементы схемы подобраны так, чтобы обеспечить идентичность каждого усилительного каскада (рис.6.11. а) Rк1=Rк2 , RБ1=RБ2, СБ1=СБ2, параметры транзисторов одинаковые.

 

Рис. 6.11. Схема симметричного мультивибратора.

 

Казалось бы, при полной симметрии схемы после ее включения токи транзисторов и напряжение на электродах должны быть одинаковыми, а состояние схемы – устойчивое. Однако идеальной симметрии схемы добиться невозможно (нестабильность источника питания, разброс параметров элементов схемы); поэтому ток коллектора одного транзистора будет большие, другого – меньше. Пусть Iк1>Iк2, при этом увеличится падение напряжения на Rк1 (Vк1 = Iк1 Rк1)

На коллекторе Т1 получится приращение положительного потенциала, т.к. напряжение на конденсаторе СБ1 мгновенно изменится не может, то это приращение прикладывает к базе транзистора Т2, начиная запирать его.

Коллекторный ток IК2 при этом уменьшается, напряжение на коллекторе Т2 станет более отрицательным и, передаваясь через конденсатор СБ2 на базу транзистора Т1, еще более открывая его, увеличивая ток Iк1. Этот процесс протекает лавинообразно и заканчивается тем, что транзистор Т1 полностью открывается, транзистор Т2 - запирается. Схема в этом случае находится в одном из своих устойчивых состояний. Открытое состояние транзистора Т1обеспечивается отрицательным напряжением смещения на базе от источника Ек через резистор RБ1, а закрытое состояние транзистора Т2-положительным напряжением на конденсаторе СБ1 (UСБ1=UБ2>0), который через открытый транзистор Т1включен в промежуток базы – эмиттер транзистора Т2. На рис. 6.11.б это момент времени t=0.

Теперь конденсатор СБ2быстро заряжается на цели: +Ек, эмиттер – база Т1, ±СБ2, RК2, -Ек до напряжения Ек.

Конденсатор СБ1, заряженный в предыдущий период, разряжается по цепи: +СБ1, RБ2, + Ек источника, открытый транзистор Т1, -СБ1 и напряжение на нем уменьшается до – Ек (момент времени t1. р ис. 6.11.б), напряжение UСБ1=UБ2 меняет знак (становиться отрицательным) и отпирает транзистор Т2, появляется ток Iк2.

Увеличение тока IК2 приводит к процессу, аналогичному описанному (при увеличении тока IК1), транзистор Т2- откроется, а транзистор Т1-запирается. Это второе устойчивое состояние схемы.

В промежуток времени t1-t2 происходит зарядка конденсатора СБ1 и разрядка конденсатора СБ2.

Таким образом, переходя периодически из одного временно устойчивого состояния в другое, мультивибратор формирует выходное импульсное напряжение почти прямоугольной формы, снимаемые с коллектора любого транзистора.

 

Полный период колебаний мультивибратора.

Т=τ1 + τ2= 1,4 RБ СБ, где

 

RБ1=RБ2=RБ,

СБ1Б2Б

 

τ1≈ 0,7 RБ2 СБ1 – время разряда конденсатора СБ1

τ2≈ 0,7 RБ1 СБ2 – время разряда конденсатора СБ2

 

Следовательно, частота генерируемых колебаний определяется скоростью перезарядки конденсаторов СБ1 и СБ2.

 

В несимметричном мультивибраторе транзисторы выбирают одинаковыми RК1=RК2 или RБ1≠RБ2, СБ1≠СБ2, τ1 ≠ τ2. Вследствие чего транзисторы Т1 и Т2 открыты в течение различных промежутков времени.

Чем короче должен быть один из импульсов, тем меньше выбирают соответствующую постоянную времени (τ1 или τ2). Колебательный процесс в несимметричном мультивибраторе приведен на рис. 6.12..

 

 

Рис. 6.12. Колебательный процесс в несимметричном мультивибраторе.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-04; Просмотров: 723; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.017 сек.