Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Модуль 1




Консультация по модулю 1.1.

1. Неверно, 2-х валентные вещества не используются в полупроводниковой технике.

2. Неверно, третий столбик занимают примеси.

3. Правильно, они занимают четвертый столбик в таблице, т.к. четырехвалентны

4. Неверно, пятый столбик занимают примеси.

5. Правильно, т.к. число свободных электронов и образовавшихся дырок одинаковое.

6. Неверно, число электронов в чистом полупроводнике не может быть больше числа дырок, они равны.

7. Неверно, число электронов в чистом полупроводнике не может быть меньше числа дырок, они равны.

8. Неверно, с увеличением температуры электроны на внешней орбите приобретает дополнительную энергию, достаточную, чтобы покинуть эту орбиту. Число свободных электронов увеличивается, а значит, сопротивление полупроводника уменьшается.

9. Правильно, читайте объяснение 8.

10. Неверно, читайте объяснение 8.

11. Неверно, трехвалентная примесь обеспечивает получение полупроводника

р –типа.

12. Неверно, для получения полупроводника n –типа необходимо ввести в полупроводник вещества с валентностью отличной от валентности чистого полупроводника.

13. Правильно, внесение пятивалентного элемента донорной примеси обеспечивает избыток свободных электронов, т.е. электронную проводимость и полупроводник называется n –типа (отрицательной – negative).

14. Неверно, основные носители заряда – это такие, которые преобладают в данном полупроводнике–дырки, а электроны являются не основными носителями.

15. Неверно, отрицательно заряженными частицами в полупроводнике являются электроны.

16. Правильно, читай объяснение 14.

17. Неверно, положительно заряженные частицы в полупроводнике – это дырки.

18. Неверно, это удельное сопротивление проводника.

19. Правильно, по удельному сопротивлению полупроводники занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками.

20. Неверно, это удельное сопротивление диэлектрика.

21. Неверно, при внесении примесей увеличивается общее количество заряженных частиц, а значит, удельное сопротивление уменьшается.

22. Неверно, читайте объяснение 21.

23. Правильно, при внесении пятивалентной примеси увеличивается число свободных электронов, а при внесении трехвалентной примеси – число дырок. Увеличение числа носителей заряда уменьшает удельное сопротивление проводника.

24. Неверно, в чистом полупроводнике при получении свободного электрона обязательно появляется дырка. А поэтому проводимость только за счет электронов невозможна.

25. Неверно, читайте объяснение 24. Проводимость за счет только дырок невозможна.

26. Правильно, т.к. в чистом полупроводнике появление свободного электрона всегда связано с образованием дырки, то проводимость в чистом полупроводнике обуславливается теми и другими зарядами.

Консультация по модулю 1.2

1. Правильно, из-за диффузии в тонком пограничном слое полупроводника

n –типа возникает положительный заряд, а в пограничном слое полупроводника р –типа – отрицательный. Возникает внутреннее электрическое поле, которое препятствует движению зарядов из одного полупроводника в другой, что эквивалентно большому сопротивлению.

2. Неверно, читайте объяснение 1.

3. Неверно, читайте объяснение 1.

4. Неверно, основные носители заряда проходят через рn – переход при прямом включении перехода, когда его сопротивление уменьшается при включении внешнего источника.

5. Правильно, при обратном включении источника сопротивление перехода для основных носителей зарядов велико и через переход проходит малое число неосновных носителей заряда.

6. Неверно, Rпр определяется по закону Ома, смотри ответ 8.

7. Неверно, смотри ответ 8.

8. Правильно, , единицы измерения необходимо брать в системе СИ. [I]=A, [U]=B, [R]=Ом

9. Неверно, смотри ответ 8.

10. Правильно, сопротивление определяется по закону Ома, а единицы измерения необходимо ставить по единой системе (Си) = 1МОм

11. Неверно, читайте ответ 10.

12. Неверно, читайте ответ 10.

13. Правильно, наибольшее сопротивление рn – переход имеет при обратном включении источника, что соответствует рис. 1

14. Неверно, рис. 2 соответствует прямому включению рn – перехода

(источника), при котором его сопротивление мало.

15. Правильно, тепловой пробой приводит к разрушению рn – перехода, его сопротивление уменьшается, а свойство односторонней проводимости теряется.

16. Неверно, электрический пробой является обратимым и используется в кремниевых стабилитронах.

17. Неверно, тепловой пробой опасен для рn –перехода, а электрический (лавинный) используется в стабилитронах.

18. Неверно, читать ответ 17.

 

Консультация по модулю 1.3

1. Неверно, это выражение справедливо для схемы с общей базой.

2. Правильно, коэффициент усиления определяется как отношение изменения выходного тока (Iк) к изменению входного (IБ).

3. Неверно, это выражение справедливо для схемы включения с общим коллектором.

4. Правильно, коэффициент передачи по току в схеме с общей базой , значит

5. Неверно, читайте объяснение 4.

6. Неверно, читайте объяснение 4.

7. Неверно, это зависимость входных характеристик в схеме с общим эмиттером.

8. Неверно, эта зависимость выходных характеристик в схеме с общей базой.

9. Правильно, это зависимость выходных характеристик в схеме с общим эмиттером.

10. Неверно, читайте объяснение 11.

11. Правильно, коэффициент усиления по току в этой схеме при UКЭ=40В. , ,

12. Неверно, читайте объяснение 11.

13. Неверно, это только одно условие.

14. Неверно, это только одно условие.

15. Неверно, при условии Ек-Б<<Еэ-Б ток Iк на выходе будет отсутствовать.

16. Правильно, эти все три условия работы транзистора.

17. Неверно, для транзистора р-n-р- типа эмиттерный переход должен быть включен в прямом направлении, а на схеме в обратном.

18. Неверно, 2-ой коллекторный переход должен быть включен в обратном направлении, а на схеме в прямом.

19. Правильно, в транзисторе р-n-р -типа эмиттерный переход должен быть включен в прямом, а коллекторный в обратном направлении. Такое подключение мы и видим в схеме.

20. Неверно, читайте объяснение 19. Оба источника включены наоборот.


Консультация по модулю 1.4

1. Неверно, у биполярного транзистора на входе включен рn – переход в прямом направлении. А его сопротивление мало.

2. Неверно, у полевого транзистора с рn – переходом высокое сопротивление до , но с изолированным затвором выше и достигает

3. Правильно, читайте объяснение 2.

4. Неверно, основной недостаток биполярных транзисторов сильная зависимость параметров от внешних воздействий.

5. Неверно, в полупроводниковых диодах, как и транзисторах параметры сильно меняются при изменении внешних воздействий, что объясняется изменением количества носителей зарядов, а значит изменением тока

6. Правильно, эти приборы работают в большом диапазоне изменения температур и внешних радиационных воздействий.

7. Неверно, управляет потоком носителей зарядов – затвор.

8. Неверно, собирает носители зарядов, создавая выходной ток – сток.

9. Правильно, источником зарядов является исток.

10. Правильно, сток выполняет ту же функцию, что и коллектор в биполярном транзисторе – собирает основной поток носителей зарядов.

11. Неверно, читайте объяснение 10.

12. Неверно, читайте объяснение 10.

13. Правильно, это схема с общим истоком, т. к. электрод исток включен во входную и выходную цепи.

14. Неверно, это схема с общим затвором.

15. Неверно, это схема с общим стоком.

 

 

Консультация по модулю 1.5

1. Неверно, это условное обозначение неуправляемого тиристора – динистора.

2. Неверно, это условное обозначение кремниевого стабилитрона.

3. Неверно, это условное обозначение фотодиода.

4. Правильно, это условное обозначение трехэлектродного управляемого тиристора – тринистора.

5. Неверно, эта область малого положительного сопротивления соответствует открытому состоянию прибора.

6. Неверно, эта область высокого отрицательного сопротивления.

7. Правильно, эта область обратимого пробоя рn – перехода.

8. Неверно, непроводящее состояние соответствует закрытому внешним источником второму переходу.

9. Неверно, это область высокого сопротивления.

10. Неверно, это область необратимого лавинного пробоя.

11. Неверно, управляющий электрод подключен к области р, для включения тиристора средняя область П2 должна быть в прямом направлении (плюс на управляющим электроде)

12. Неверно, при таком включении внешнего источника, минус - на анод, плюс - на катод эмиттерные переходы П1 и П3 в обратном непроводящем включении.

13. Правильно, переходы П1 и П3 анод и катод, и переход П2 в прямом включении, сопротивление их малы и через прибор течет ток – он открыт.

 

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-04; Просмотров: 342; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2023) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.038 сек.