Транзистор

Пожалуй, самым важным применением полупроводников является изобретение транзистора. Состоит он из двух полу­проводниковых переходов, расположенных вплотную друг к другу, и работа его частично опирается на те же принципы, которые мы только что описывали, говоря о полупроводниковом диоде — выпрямляющем переходе. Предположим, что мы изго­товили из германия небольшой брусочек, составленный из трех участков: p -область, n- область и опять p -область (фиг. 12.11,а). Такое сочетание именуется p—n—p -транзистором. Ведут себя эти переходы в транзисторе примерно так же, как описывалось в предыдущем параграфе. В частности, в каждом переходе должен наблюдаться перепад потенциала — падение потенци­ала из n -области в каждую из p -областей. Если внутренние свой­ства обеих p -областей одинаковы, то потенциал вдоль брусочка меняется так, как показано на фиг. 12.11, б.

Теперь представьте себе, что каждая из трех областей под­ключена к источнику внешнего напряжения (фиг. 12.12, а). Будем относить все напряжения к контакту, присоединенному к левой p -области, так что на этом контакте потенциал будет равен нулю.

Фиг. 12.12. Распределение потенциала в работающем транзисторе.

Этот контакт мы назовем эмиттером; n -область называется базой, или основанием, к ней подведен слабый отри­цательный потенциал; правая p -область называется коллекто­ром, к ней подведен намного больший отрицательный потенциал. В таких условиях потенциал будет меняться вдоль кристалла так, как показано на фиг. 12.12,б.

Посмотрим сначала, что происходит с положительными носителями, потому что именно их поведение в первую очередь управляет работой p—n—p -транзистора. Раз потенциал эмит­тера более положителен, нежели потенциал базы, то из эмит­тера в базу пойдет ток положительных носителей. Ток этот до­вольно велик, потому что перед нами переход, работающий при «подталкивающем напряжении» (что отвечает правой половине кривой на фиг. 12.10). При таких условиях положительные но­сители, или дырки, будут «эмиттироваться» из p -области в n -область. Может показаться, что этот ток вытечет из n -области через контакт Б. Но здесь-то и таится секрет транзи­стора. Эта n -область делается очень узкой, толщиной обычно в 10^-3 см, а то и уже, намного уже, чем ее поперечные размеры. Следовательно, у дырок, попавших в га-область, имеется очень большой шанс успеть продиффундировать через всю область до следующего перехода, прежде чем они аннигилируют с элект­ронами re-области. А когда они подойдут к правой границе n -области, они обнаружат перед собой крутой спуск с потен­циального холма и сходу ссыплются в правую p -область. Эта сторона кристалла называется коллектором, потому что он собирает дырки после того, как они проскользнут через n -область. В типичном транзисторе почти весь дырочный ток, вы­шедший из эмиттера и попавший на базу, собирается в области коллектора, и только жалкие остатки (доли процента) вклю­чаются в суммарный ток с электрода базы. Сумма токов из базы и коллектора, естественно, равна току через эмиттер.

Теперь представим себе, что получится, если мы будем слегка менять потенциал V_б контакта. Поскольку мы находимся на сравнительно крутой части кривой фиг. 12.10, легкие изменения потенциала V_б довольно значительно отразятся на токе эмиттера I _Э. А напряжение на коллекторе V_K намного более отрицательно, чем напряжение на электроде базы, и эти слабые изменения потенциала не скажутся заметно на крутом потенциальном холме между базой и коллектором. Большинство положительных носителей, испущенных в n -область, по-прежнему будут попадать в коллектор. Итак, изме­нениям потенциала электрода базы будут отвечать изме­нения тока через коллектор I _K. Существенно, однако, что ток через базу I _Б все время будет составлять лишь небольшую часть тока через коллектор. Транзистор — это усилитель; не­большой ток I _б, проходящий через электрод базы, приведет к сильному току (раз в 100 сильней, а то и больше) через коллек­торный электрод.

А как же обстоит дело с электронами — с отрицательными носителями, которыми мы до сих пор пренебрегали? Заметьте, во-первых, что между базой и коллектором мы не ожидаем сколько-нибудь заметного тока электронов. При столь большом отрицательном напряжении на коллекторе электронам из базы пришлось бы карабкаться на очень высокий потенциальный холм, и вероятность этого очень мала. Ток электронов на кол­лектор очень слаб.

Но, с другой стороны, электроны с базы могут переходить в область эмиттера. Можно ожидать, что электронный ток в этом направлении будет сравним с дырочным током от эмиттера к базе. Такой электронный ток пользы не приносит, даже на­оборот, потому что он увеличивает полный ток через базу, нужный для того, чтобы ток дырок к коллектору имел данную величину. Поэтому транзистор устраивается так, чтобы ток электронов к эмиттеру свести до самой малости. Электронный ток пропорционален N_n (базы)—плотности отрицательных носи­телей в веществе базы, тогда как дырочный ток от эмиттера зависит от N_p (эмиттера)—плотности положительных носителей в области эмиттера. Сравнительно небольшим добавлением примеси в материал n- типа N_n (базы) может быть сделано много меньше, чем N_p (эмиттера). (Кроме того, сильно помогает очень малая толщина базы, потому что выметание дырок из этой области в коллектор заметно увеличивает средний дырочный ток от эмиттера к базе, не затрагивая электронного тока.) В итоге ток электронов через переход эмиттер — база может быть сделан много слабее тока дырок, так что электроны в ра­боте p—n—p -транзистора заметной роли не играют. Токи в основном определяются движением дырок, и транзистор иг­рает роль усилителя.

Можно также сделать транзистор, поменяв на фиг. 12.11 местами материалы p -типа и n -типа. Тогда получится так назы­ваемый n—p — n -транзистор. В таком транзисторе основной ток — это ток электронов, текущий от эмиттера к базе, а от­туда — в коллектор. Разумеется, все рассуждения, которые мы проводили для p — n—p- транзистора, в равной мере приме­нимы и к n — p—n -транзистору, если только переменить знаки потенциалов электродов.

*Во многих книжках эта же энергетическая диаграмма истолковывает­ся иначе. Шкалу энергий относят только к электронам. Вместо того чтобы думать об энергии дырки, говорят о той энергии, которую имел бы элект­рон, если бы он заполнил дырку. Эта энергия меньше, нежели энергия сво­бодного электрона, причем как раз на ту величину, которая показана на фиг. 12.5. При такой интерпретации шкалы энергий ширина энергетиче­ской щели — это наименьшая энергия, которой нужно снабдить элект­рон, чтобы перевести его из связанного состояния в зону проводимости.

Литература: Ч. Киттель, Введение в фи­зику твердого тела, М.—Л., 1958, гл. 13, 14, 18.

Дата добавления: 2015-06-04