Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме с общей базой

Студенты Юшков М.В.

гр. Р-200802 Муллозода Р.Т.

Мавричев А.А.

Преподаватель Болтаев А. В.

Екатеринбург

Цель работы

Ознакомиться с физическими основами работы биполярного транзистора, исследовать характеристики и параметры транзистора в схеме с общей базой и изучить влияние температуры окружающей среды на ход характеристик. В ходе работы снимаются входные и выходные характеристики при комнатной и повышенной температурах. По полученным характеристикам определяются -параметры.

Рис. 1 - Схема лабораторной установки

Данная схема используется как для снятия входных, так и для снятия выходных характеристик транзистора. При снятии входных характеристик для более высокой точности вместо вольтметра в лабораторном стенде мы используем внешний цифровой вольтметр V1. При снятии выходных характеристик также для большей точности измерений вместо перемычек П1, П3 включаются цифровые миллиамперметры, причём при снятии этих характеристик с помощью миллиамперметра, установленного на место перемычки П1, поддерживается ток эмиттера на постоянном уровне (0, 4, 6 и 8 мА); чтобы снять характеристику при эмиттером токе, равном нулю, перемычка П2 удаляется.

Все измерения в данной работе проводятся на лабораторном стенде №3. В ходе работы исследуется германиевый сплавной транзистор типа МП26А (см. Рис. 2).

Рис. 2 - МП26А

Дата добавления: 2015-06-04