Обработка результатов измерений. Результаты измерений

Результаты измерений

Семейство входных характеристик J_Э=f(U_ЭБ) снималось для трех значений напряжения на коллекторе U_КБ = 0, -2, -10 В при комнатной (T=20°С) и повышенной (T=50°С) температурах.

Таблицы результатов измерений:

при U_КБ = 0 В:

JЭ, мА		0,1	0,3	0,5
UЭБ, В при T=20°C		0,075	0,109	0,127	0,155	0,191	0,233	0,266	0,291	0,315
UЭБ, В при T=50°C		0,014	0,038	0,056	0,088	0,118	0,164	0,198	0,225	0,253

при U_КБ = -2 В:

JЭ, мА		0,1	0,3	0,5
UЭБ, В при T=20°C		0,073	0,106	0,122	0,150	0,183	0,225	0,257	0,286	0,306
UЭБ, В при T=50°C			0,032	0,052	0,078	0,108	0,155	0,192	0,221	0,244

при U_КБ = -10 В:

JЭ, мА		0,1	0,3	0,5
UЭБ, В при T=20°C		0,071	0,105	0,121	0,146	0,176	0,216	0,245	0,268	0,290
UЭБ, В при T=50°C			0,022	0,047	0,067	0,095	0,144	0,187	0,209	0,229

Рис. 3 - График семейства входных характеристик транзистора МП26А в схеме включения с ОБ

при комнатной (T=20°С) и повышенной (T=50°С - пунктирные) температурах

Семейство выходных характеристик J_К=f(U_КБ) снималось для четырех значений тока эмиттера (J_Э = 0, 4, 6, 8 мА) при комнатной (T=20°С) и повышенной (T=50°С) температурах в рабочем режиме.

Таблицы результатов измерений:

при J_Э = 0 мА:

UКБ, В		0,5
JК, мА при T=20°C		0,0048	0,005	0,0052	0,0053	0,0054	0,0055	0,0056	0,0058
JК, мА при T=50°C	0,011	0,05	0,0505	0,0515	0,0521	0,0525	0,053	0,0535	0,054

при J_Э = 4 мА:

UКБ, В		0,5
JК, мА при T=20°C	3,3	3,39	3,43	3,48	3,59	3,67	3,74	3,81	3,87
JК, мА при T=50°C	3,62	3,71	3,79	3,84	3,92	3,98	4,03	4,09	4,14

при J_Э = 6 мА:

UКБ, В		0,5
JК, мА при T=20°C	5,51	5,56	5,62	5,68	5,77	5,85	5,89	5,95	6,02
JК, мА при T=50°C	5,67	5,73	5,8	5,86	5,92	5,98	6,03	6,12	6,17

при J_Э = 8 мА:

UКБ, В		0,5
JК, мА при T=20°C	7,25	7,31	7,4	7,45	7,54	7,61	7,69	7,75	7,83
JК, мА при T=50°C	7,47	7,52	7,6	7,68	7,74	7,82	7,93	8,02	8,13

Рис. 4 - График семейства выходных характеристик транзистора МП26А в схеме включения с ОБ

при комнатной (T=20°С - черные) и повышенной (T=50°С – серые-пунктирные) температурах

По построенным входным и выходным характеристикам транзистора, снятым при комнатной температуре, определяем -параметры при приблизительно одинаковых режимах работы на входных и выходных характеристиках.

Рис. 5 - Определение -параметров транзистора МП26А

Определение -параметров транзистора МП26А:

1. Входное сопротивление

2. Коэффициент обратной связи по напряжению

3. Коэффициент усиления по току

4. Выходная проводимость

Рис. 6 - Схема Т-образной эквивалентной схемы транзистора МП26А

По вычисленным -параметрам считаем параметры Т-образной эквивалентной схемы транзистора (см. Рис. 6).

Справочные и расчетные значения заносим в таблицу:

Параметры	h11Б	h12Б	h21Б	h22Б	rЭ	rБ	rК	a	m	S
Размерность	Ом	10^-3	-	мкСм	Ом	Ом	кОм	-	10^-3	мА/В
Паспортные значения	25-35	-(0,8-4)	-(0,95-0,995)	< 1	1-100	<160	200-2000	0,95-0,995		50-500
Расчетные значения		-1,8	-0.909	0,2	4,5			0,909	1,8	60,6

Используя входную характеристику, снятую при U_КБ= -10 В и комнатной температуре (T=20°С), рассчитываем и строим график зависимости h_11Б=f(J_Э).

JЭ, мА	0,1	0,3	0,5
∆UЭБ, мВ
∆JЭ , мА	0,2	0,2	0,5
h11Б , Ом						14,5	11,5

Рис. 7 - График зависимости h_11Б=f(J_Э) при U_КБ= -10 В

Выводы

Дата добавления: 2015-06-04