КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
ОДОБРЕНО 2 страница
Окончательно . (2.8) Коэффициент частотных искажений в области высших частот определяется из выражения: . (2.9) Эквивалентная схема усилителя при работе его в области высших частот приведена на рис. 2.3. Постоянная времени в области высших частот τ в, обусловлена емкостью С к (приведена в паспортных данных транзистора) и определяется уравнением τ в = С К × (r К // R К // R Н), (2.10) где r к - дифференциальное сопротивление коллекторного перехода, рассчитанный в работе № 1 При расчетах принять R Н = R К. КПД коллекторной цепи усилителя вычисляется по формуле: , (2.11) где U к.max, I к.max, - амплитуда коллекторного напряжения и тока полученные графически (см.рис. 1.1,в); Е к - ЭДС источника питания; I к0 - ток коллектора в точке покоя (см. рис. 1.1,в). Общий КПД каскада вычисляется с учетом потерь в выходном трансформаторе (если он имеется) и цепи смещения. Максимальную мощность в нагрузку R Н усилитель отдает при условии R н = R вых. Определение R вых дано в работе № 1. Коэффициент усиления усилителя, охваченного отрицательной обратной связью , (2.12) где b 0- коэффициент обратной связи (при расчетах принимать b 0=0,2); К - коэффициент усиления без обратной связи рассчитанный в работе №1.
Рис. 2.4. Схемы усилителей с различными типами обратных связей.
По способу сложения сигнала обратной связи с выходным сигналом различают: обратную связь со сложением напряжения (последовательная ОС) и обратную связь со сложением токов (параллельную ОС). Значение входного и выходного сопротивлений для каждого из типов отрицательной ОС рассчитывается по формулам: при последовательной ОС: R вх.ос = R вх. × (1 + b 0 × K), (2.13) при параллельной ОС: R вх.ос = R вх. / (1 + b 0 × K), (2.14) при обратной связи по напряжению: R вых.ос = R вых. / (1 + b 0 × K), (2.15) при обратной связи по току: R вых.ос = R вых. × (1 + b 0 × K), (2.16) РАСЧЕТНОЕ ЗАДАНИЕ № 3
ИЗУЧЕНИЕ МУЛЬТИВИБРАТОРА
3.1. Цель работы 3.1.1. Изучить схему и принцип действия мультивибратора с коллекторно-базовыми конденсаторами. 3.1.2. Изучить особенности работы транзистора в ключевом режиме. 3.1.3.Получить навыки расчета импульсных схем на примере схемы автоколебательного мультивибратора. 3.2. Содержание расчетного задания 3.2.1. Выполнить расчет ключевого режима работы транзисторов 3.2.2. Выполнить расчет схемы симметричного мультивибратора.
3.3. Методические указания
3.3.1. Ключевой режим работы транзистора. Основой сложных импульсных схем являются транзисторные ключи. Транзисторным ключом называют схему, основное назначение которой состоит в замыкании и размыкании цепи нагрузки с помощью управляющих входных сигналов. Качество транзисторного ключа определяется минимальным падением напряжения на нем в замкнутом состоянии, когда транзистор открыт до насыщения, минимальным током в разомкнутом состоянии, когда транзистор полностью закрыт, и скоростью перехода из одного состояния в другое. Насыщенные ключи работают в режиме отсечки и насыщения, скачком переходя из одного режима в другой (точки А и В на рис. 3.1). Мощность, рассеиваемая транзистором в режиме отсечки, рассчитывается по формуле: Р отс = Е к × I кбо, (3.1) где I кбо- обратный ток с коллектора на базу, Е к = Е пит - приведены для всех вариантов в таблице 3.1. Мощность рассеиваемая транзистором в режиме насыщения Р нас = I кн × U кэн, (3.2) где UКЭН - падение напряжения на транзисторе в режиме насыщения, т.е. напряжение проекции точки B на ось U кэ Таблица 3.1 Параметры элементов схемы мультивибратора
I кн - ток коллектора в режиме насыщения, , (3.3) Средняя мощность, рассеиваемая транзистором за время прямого и обратного переключений
, (3.4) где Т - период колебаний рассчитываемый через уравнение 3.8.; t Ф - длительность фронта (длительность обоих фронтов считаем одинаковой). Длительность фронта у импульсов мультивибратора показана на рис.3.3,б её можно рассчитать через параметры схемы С б и R к приведенные в таблице 3.1 по формуле t ф = 2,3 С б R к, (3.5)
Полная мощность, рассеиваемая в ключе: , (3.6) где t отс, t нас - время нахождения транзистора в состоянии отсечки или насыщения (соответствуют t и1 и t и2 приведенным на временных диаграммах рис. 3.3,б). Длительности t и1 и t и2 рассчитываются через исходные параметры мультивибратора, приведенные в таблице 3.1 по формуле t и = 0.7 · C б · R б (3.7) 3.3.2. Симметричный мультивибратор Мультивибратор является генератором релаксационных колебаний, форма которых близка к прямоугольной. Частота колебаний и их амплитуда определяются параметрами схемы мультивибратора, характеристиками транзисторов и напряжением источников питания. Мультивибраторы могут работать в режиме автоколебаний, внешнего запуска и синхронизации. Если усилительные элементы, сопротивления и емкости обоих плеч одинаковы, то мультивибратор называется симметричным. Симметричный мультивибратор генерирует на выводах коллекторов импульсы одинаковой длительности, но противоположной полярности. Мультивибратор в автоколебательном режиме представляет собой двухкаскадный усилитель на транзисторах с положительной обратной связью рис 3.2. Рис.3.1.Работа транзистора в ключевом режиме
Рис.З.2. Симметричный мультивибратор с коллекторно-базовыми связями.
Для снижения зависимости частоты колебаний от изменения –Ek напряжение смещения на базы транзисторов подают в отпирающей полярности через Rб.Период колебаний t зависит от параметров Rб и конденсаторов обратной связи С. Допустим в какой -то момент времени VT1 открыт а VT2закрыт и через VT1 течет ток определяемый током Rк1 и током заряда С1 через Rб1.Ток заряда С1 вызывает падение напряжения на Rб1 с полярностью запирающей VТ2. После заряда С1 напряжение запирающее VТ2 снижается и VТ2 отпирается, при этом Uк2 уменьшается и этот перепад напряжения через С2 плюсом подается на базу VТ1 и закрывает его.Этот процесс идет лавинообразно и заканчивается сменой состояний транзисторов. Теперь начинается перезаряд С2 по цепи –Ек-Rб2-С2-VТ2-земля. Через время tи=0,7Rб2С2 заканчивается заряд С2 при этом напряжение запирающее VТ1 снижается и он начинает отпираться, что приводит к следующему переключению транзисторов.
Рис.3.3. а)Симметричный мультивибратор с диодной фиксацией. б)Временные диаграммы его работы.
Частота колебаний мультивибратора равна: , (3.8) где Т - период колебаний; t u - длительность импульса, т.е. длительность запертого и открытого состояния соответствующего транзистора. Длительность запертого состояния транзистора определяется скоростью перезаряда конденсатора, соединяющего в данный момент коллектор открытого транзистора с базой запертого. Часто требуется иметь разные длительности импульсов (t u1) и паузы (t u2).Тогда скважность импульсов , (3.9) Главным препятствием на пути увеличения скважности является большая длительность фронтов (t Ф) импульсов.
Максимальная скважность равна Q max = (b/ 3 ) + 1, (3. 10) Учитывая, что минимальная скважность Q min = 2 и отношение С 2 /С 1 = 1, получаем условие R 1 > 3,3 R к , (3.11) Одним из способов укорочения отрицательного фронта является диодная фиксация коллекторных потенциалов на уровне Е ф меньшим напряжения Е к. Схема с диодной фиксацией показана на рис. 3.3,а, а соответствующие временные диаграммы на рис. 3.3,б. Из последних легко выразить время t ф1 на уровне 0,9. , (3.12) где ε ф = Е ф / Е к - относительный уровень фиксации. Q max = 0,8 × (b/ε Ф) + 1, (3.13) R 1 > 1,3 ε Ф × R K, (3.14) Таким образом, схема с диодной фиксацией обеспечивает преимущество в отношении длительности отрицательного фронта и максимальной скважности. Варианты у которых Е ф=0 расчет t ф1 и Q max производить не нужно.
РАСЧЕТНОЕ ЗАДАНИЕ № 4
ИЗУЧЕНИЕ НЕУПРАВЛЯЕМЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
4.1. Цель работы 4.1.1. Изучить работу схем однополупериодного и двухполупериодных выпрямителей. 4.1.2. Изучить работу схем фильтров. 4.1.3. Произвести расчет схем выпрямителей и фильтров в соответствии с исходными данными, приведёнными в таблице 4.1. Вариант задания указывается преподавателем. 4.2. Содержание расчетного задания 4.2.1. По данным, приведенным в таблице 4.1 произвести расчет 4.2.2. Выбрать по справочникам диоды, конденсаторы и резисторы
4.3. Методические указания
При выводе основных соотношений в выпрямителях необходимо помнить, что выпрямленные напряжение и ток имеют период питающего их напряжения и внутри каждого периода они меняются по косинусоидальному закону. Разложив в ряд Фурье выпрямленный ток, получим для мгновенного значения тока i в следующее выражение: i В = (I m /π) + (I m / 2) × sinωt - (2 I m / 3 π) × sin2ωt - (2 I m / 15 π) sin4ω, где первое слагаемое этого ряда
, (4.1)
представляет собой среднее значение тока за период и называется постоянной составляющей выпрямленного тока I m0. Второе слагаемое (Imax/2)sin ωt называется первой (основной) гармоникой переменной составляющей выпрямленного тока I m1. Постоянная составляющая и первая гармоника составляют более 95% от выпрямленного тока, что позволяет пренебречь высшими гармониками и следовательно I m0+ I m1= I d= I н.
Исходные данные для расчёта выпрямителей Таблица 4.1
4.3.1. Схема однополупериодного выпрямителя
Средние значения выпрямленного напряжения U d и тока I н определяют величину R н U d = I d R н (4.2) Через напряжение U d определяют действующее напряжение U 2 на вторичной обмотке трансформатора , (4.3) Максимальная величина тока вентиля выпрямителя I m зависит от амплитуды напряжения U 2m на вторичной обмотке трансформатора (рис. 4.1) и от R н. I м = U 2м / R н, (4.4)
Рис. 4.1. Однополупериодная схема выпрямителя Действующее значение тока во вторичной обмотке I 2 , (4.5) Мощность, расходуемая во вторичной обмотке трансформатора Мощность, расходуемая в первичной обмотке трансформатора S 1 = U 1 I 1 = 2,7 Р н, (4.7) Габаритная полная мощность трансформатора , (4.8) Максимальное обратное напряжение на вентиле выпрямителя , (4.9) Коэффициент пульсаций в однополупериодной схеме выпрямителя , (4.10)
4.3.2. Двухполупериодная схема выпрямителя со средней точкой.
В схеме двухполупериодного выпрямителя, рис. 4.2 вентили питаются напряжениями с двух вторичных обмоток, сдвинутыми по фазе на 180°, т.е. эту схему можно рассматривать как две однополупериодных поочередно работающих на общую нагрузку R н, поэтому среднее значение выпрямленного тока I d удвоится I d =2×I m /π, (4.11) Действующее значение тока во вторичной обмотке трансформатора
Рис. 4.2. Двухполупериодная схема выпрямителя со средней точкой
I 2 = I d ×π / 4 = 0,785 I d, (4.12)
Дата добавления: 2015-07-02; Просмотров: 409; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |