Расчет и моделирование параметров усилителя на постоянном токе

Для моделирования усилительного каскада, представленного на рис. 1.13, выполнить в предложенной ниже последовательности расчет его параметров.

1) рассчитать предварительное значение тока базы покоя I_0Б (см. ф. 1.9);

2) используя соотношение 1.11, задаться значением тока делителя I_Д;

3) найти значение резистора R₂;

4) определить значение резистора R₁;

5) рассчитать коэффициент нестабильности коллекторного тока S (см. ф. 1.12).

6) смоделировать схему усилителя на биполярном транзисторе с ОЭ с эмиттерной термостабилизацией (см. рис. 1.13), установив полученные значения сопротивлений резисторов в цепях базового делителя напряжения. Измерить все постоянные токи, протекающие в цепях транзистора и падения напряжений на всех участках цепи. Сравнить полученные значения с расчетными.

По окончании выполнения работы и оформления отчета каждый студент должен ответить письменно на два контрольных вопроса. Номера вопросов для каждого варианта представлены в таблице 2.6.

Таблица 2.6

№ варианта	№ вопроса	№ варианта	№ вопроса
	1, 10		18, 21
	2, 15		22, 15
	3, 17		23, 14
	4, 19		20, 3
	5, 20		15, 4
	6, 21		21, 5
	7, 22		19, 1
	8, 19		2, 16
	9, 18		4, 22
	11, 17		7, 17
	12, 16		9, 13
	13, 22		3, 18
	14, 21		5, 15
	16, 1		16, 10

Контрольные вопросы

1. Пояснить, какие физические процессы происходят в структуре плоскостного биполярного транзистора.

2. Какие существуют режимы работы биполярного транзистора. Какие напря­жения подаются на его р-n- переходы в разных режимах работы? Параметры каждого из режимов и их практическое использование.

3. Усилительный режим работы биполярного транзистора. Характеристики усилительных свойств.

4. Динамический режим работы биполярного транзистора. Построение динамической характеристики.

5. Статический режим работы биполярного транзистора. Характеристики и параметры статического режима работы.

6. Сравнительный анализ возможных схем включения биполярного транзистора (ОЭ, ОБ, ОК). Статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора для разных схем его включения.

7. Напишите выражения, с помощью которых вводятся h -параметры биполярного транзистора, и объяс­ните физический смысл каждого из этих параметров. Изобразите эквивалентную схему биполярного транзистора в системе h -параметров. Каковы условия измерения h -параметров?

8. Как зависят характеристики и параметры биполярного и полевого транзисторов от температуры, частоты и других условий ра­боты?

9. На семействах входных и выходных статических характеристик транзис­тора, включенного по схеме с общим эмиттером, отметьте области, соответствующие режимам отсечки, усиления и насыщения. Какие напря­жения подаются на р-n- переходы транзистора в перечисленных режимах работы?

10. Что такое коэффициент насыщения S _нас транзистора? Какие значения этого коэффициента используют на практике?

11. Каков характер и величина изменения входного и выходного сопротивлений (R_вх R_вых) в зависимости от схемы включения биполярного транзистора? Какизменяется коэффициент усиления по мощности в зависимости от схемы включения биполярного транзистора?

12. В чем заключается принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом? Что собой представляет размерность крутизны S полевого транзистора? Является ли значение крутизны S постоянным для конкретного полевого транзистора?

13. Основные параметры и характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом.

14. Какими преимуществами обладают полевые транзисторы по сравнению с биполярными?

15. В чем отличие принципа действия и основных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n переходом и МДП транзистора.

16. Схемы включения полевых транзисторов, их основные характеристики (ОС, ОИ, ОЗ). Сравнительный анализ схем включения.

17. Классификация транзисторов. Принципы маркировки и условные графические обозначения биполярных и полевых транзисторов.

18. Изобразить:

- принципиальную и эквивалентную схемы биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером;

- статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора для этой схемы включения.

Особенности, преимущества и недостатки схемы с общим эмиттером, ее практическое применение.

19. Изобразить:

- принципиальную и эквивалентную схемы биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой;

- статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора для этой схемы включения.

Особенности, преимущества и недостатки схемы с общей базой, ее практическое применение.

20. Изобразить:

- принципиальную и эквивалентную схемы биполярного транзистора, включенного по схеме с общим коллектором;

- статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора для этой схемы включения.

Особенности, преимущества и недостатки схемы с общим коллектором, ее практическое применение.

21. Изобразить:

- принципиальную и эквивалентную схемы полевого транзистора, включенного по схеме с общим стоком;

- статические вольтамперные характеристики полевого транзистора для этой схемы включения.

Особенности, преимущества и недостатки схемы с общим стоком, ее практическое применение.

22. Изобразить:

- принципиальную и эквивалентную схемы полевого транзистора, включенного по схеме с общим истоком;

- статические вольтамперные характеристики полевого транзистора для этой схемы включения.

Особенности, преимущества и недостатки схемы с общим истоком, ее практическое применение.

Список рекомендуемой литературы

1. Б.И.Горошков, А.Б.Горошков. Электронная техника: учеб. Пособие для студ. сред. проф. образования. 3-е издание. - М.: Издательский центр «Академия», 2010.

2. М.В.Гальперин. Электронная техника. Учебник. – М.: ФОРУМ-ИНФРА-М, 2003.

3. Электротехника и электроника. Учебник для сред. проф. Образования / Б.И.Петленко, Ю.М.Инькова и др; Под ред. Б.И.Петленко. - М.: Издательский центр «Академия», 2003.

4. Аналоговая и цифровая электроника (Полный курс): Учебник для вузов

/ Ю.В. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И. Гуров; Под ред. О.П. Глудкина. - М.: Горячая Линия - Телеком, 2002.

Дата добавления: 2015-07-02