Вопросы 2 уровня

Вопросы 1 уровня

Тема 3. Упругие свойства дислокаций

Вопросы 2 уровня

1. Оцените величину критического скалывающего напряжения по додислокационной теории скольжения.

2. Рассмотрите механизм скольжения плоской петли смешанной дислокации при условии, что вектор сдвига лежит в ее плоскости.

3. Рассмотрите механизм скольжения плоской петли смешанной дислокации при условии, что вектор сдвига лежит вне петли, но в одной плоскости с петлей.

4. Покажите разложение вектор Бюргерса смешанной дислокации на краевую и винтовую компоненты.

1. Запишите, по какой формуле можно вычислить энергию краевой дислокации.

2. Укажите, от каких факторов зависит энергия дислокации.

3. Объясните, что такое линейное натяжение дислокации и по какой формуле его рассчитывают.

4. Объясните, почему дислокации являются термодинамически неравновесными дефектами.

5. Запишите формулу, по которой рассчитывают силу, действующую на единицу длины дислокации.

6. Объясните, от чего зависит упругое взаимодействие краевых дислокаций.

7. Объясните причину упругости конфигурации, которую называют дислокационной стенкой.

8. Рассмотрите взаимодействие краевых дислокаций разного знака, когда они вплотную подходят друг к другу; когда находятся в соседних плоскостях скольжения, разделенных одним межатомным расстоянием.

9. Запишите, чему равна сила, с которой одна винтовая дислокация действует на другую, ей параллельную.

10.Запишите, чему равна сила, с которой винтовая и краевая, параллельная ей дислокация, действует друг на друга.

1. Выведите формулу, по которой подсчитывают энергию дислокаций.

2. Запишите формулу, по которой можно рассчитать энергию движущейся винтовой дислокации.

3. Вывести формулу силы, действующей на единицу длины дислокации.

4. Определите напряжение, необходимое для выгибания линии дислокации в дугу радиусом r.

Тема 4. Дислокации в типичных металлических
структурах. Частичные дислокации. Растянутые
дислокации.

Вопросы 1 уровня

1. Покажите векторы тождественной трансляции на рисунке кубической, примитивной ячейки.

2. По какому признаку отличается единичная дислокация от частичной и от n-кратной мощности.

3. Укажите, как анализируют правильность записи дислокационной реакции. Ответ обоснуйте.

4. Укажите, по какому критерию проверяют возможность прохождения дислокационной реакции. Ответ обоснуйте.

5. Зарисуйте расположение атомов в плоскости плотнейшей упаковки.

6. Приведите примеры плоскостей плотнейших упаковок в основных типах кристаллических решеток. (Запишите их индексы, зарисуйте).

7. Схематично зарисуйте чередование атомных слоев перпендикулярных плотноупакованным плоскостями.

8. Дайте понятие энергии дефекта упаковки. Каким образом ее оценивают, и что может ее сильно изменить.

9. Объясните, как образуется полная дислокация в ГП решетке и укажите на рисунке ее линию.

10.Объясните, как образуется полная дислокация в ГЦК решетке и укажите по рисунку ее линию.

11.Зарисуйте дефекты упаковки внедрения и вычитания в ГП и ГЦК решетках.

12.Поясните образование частичных дислокаций в кристалле, используя рисунок.

13.Объясните, как связана ширина растянутых дислокаций с энергией дефекта упаковки и какое влияние легирующие элементы оказывают на ширину дефекта упаковки.

14.Покажите, как образуется частичная дислокация Франка.

15.Поясните, что такое тетраэдр Томпсона. Покажите на нем вектора Бюргерса полных дислокаций, дислокаций Франка и Шокли.

16.Запишите любую реакцию по тетраэдру Томпсона, используя его развертку.

17.Объясните, почему дислокацию Ломер-Коттрелла называют барьером.

18.Объясните, как образуется вершинная дислокация.

19.Поясните, что такое стандартная бипирамида. Покажите на ней вектора Бюргерса полных и частичных дислокаций.

20.Запишите любую дислокационную реакцию, используя стандартную бипирамиду.

Дата добавления: 2015-06-27