Анализ дифференциального каскада для малого сигнала

FET (field effect transistor)

МОПТ

Дифференциальный каскад на полевых транзисторах.

Дифференциальный каскад.

Температура – самая главная погрешность ИМС.

Большой сигнал α ≈ 1.

Транзисторы одинаковые, т.е. I_к0 одинаковы.

Приведем к симметричному виду:

Разделим оба выражения на :

Краткая запись:

Гиперболический тангенс.

Для перехода к малому сигналу нужно линеаризовать модель для большого сигнала: thx=x. Для малого сигнала – крутизна. Для большого сигнала крутизна не существует.

Малый сигнал.

Обычный каскад с общим эмиттером.

Крутизна ДК в 2 раза меньше крутизны схемы с ОЭ (из-за последовательного соединения резисторов rэ).

,

, где

, где

БИПТ

При малом сигнале схема линейна, так как малые отклонения, схема симметрична.

Теорема Бисекции: теорема суперпозиций.

Отдельно для дифференциального состояния, отдельно для синфазного состояния.

Входные сигналы – дифференциальный и синфазный, их разность и полусумма.

На оси симметрии сигналы вычитаются, значит там 0, значит точку можно заземлить.

Схема делится на 2 независимые части.

Расчет для каждой схемы можно проводить отдельно (из-за введения синфазного сигнала). Получим схему с общим эмиттером.

.

Добавка ½ так как половина входного сигнала.

Синфазный сигнал: на оба входа подан один и тот же сигнал, значит точки имеют одинаковый потенциал. Соединяем точки с одинаковым потенциалом. Точки симметричны относительно оси симметрии. То, что находится поперек оси симметрии – пропадает, на оси симметрии – «заполовиниться».

Дифференциальный каскад подавляет синфазный сигнал → подавляет температуру.

Схема подавления синфазного сигнала.

2 плеча подавляют:

Коэффициент ослабления синфазного сигнала:

Дата добавления: 2015-06-27