Вопросы для самопроверки. 1. Выпрямительный диод. Устройство

1. Выпрямительный диод. Устройство. Принцип действия, вольт-амперная характеристика, параметры, применение. Параметры предельных режимов U_{обр.доп}, I_{обр.доп}, I_пр.доп, P_доп.

2. Опорный диод. Устройство, принцип действия, вольт-амперная характеристика. Схема стабилизации.

3. Туннельный диод. Туннельный эффект. Определение и условия появления. Вольт-амперная характеристика туннельного диода, область отрицательной проводимости. Применение.

Лабораторная работа №1.

Снятие ВАХ выпрямительного диода.

Цель работы: снять вольт-амперную характеристику, убедиться в вентильных свойствах диода.

Полупроводниковым диодом называется двухэлектродный прибор, состоящий из одного электронно-дырочного перехода. Полупроводниковые диоды применяются для выпрямления переменного напряжения. Под действием изменения величины и знака приложенного напряжения изменяется ширина перехода и следовательно его сопротивление. При прямом включении, когда электрическое поле, создаваемое внешним источником направлено на встречу контактной разности потенциалов сопротивление перехода уменьшается, активнее происходит диффузия основных носителей зарядов, резко возрастает диффузионный токи следовательно, ток через переход.

При прямом включении, благодаря малому сопротивлению р-n перехода, заметный рост тока имеет место уже при 3ОО-5ООмВ.

При обратном включении внешнее поле совпадает с контактной разностью потенциалов, возрастает сопротивление р-n перехода и диффузионный ток практически исчезает. Ток через переход ограничивается током проводимости, который обусловлен перемещением через переход не основных носителей. При увеличении обратного напряжения выше критического может произойти тепловой пробой и переход потеряет свои выпрямительные свойства.

ВАХ полупроводникового диода имеет вид:

Рисунок 1 – ВАХ диода

Контрольные вопросы:

1. Образование р-n перехода

2. Собственная и примесная проводимость

3. Электро-дырочный переход и его свойства

4. Какая разница между диффузионным током и током проводимости.

5. Влияние температуры на В АХ диода

6. Виды пробоя электронно-дырочного переход

7. Конструкции полупроводниковых диодов

8. Преимущества и недостатки полупроводниковых диодов перед вакуумными кенотронами.

Литература

Б.С. Гершунский Основы электроники и микроэлектроники. (стр. 89-93)

Лабораторная работа №2.

Исследование стабилитрона.

Цель работы: снять вольт-амперную характеристику, убедиться в счтабилизационных свойствах диода.

Контрольные вопросы:

1. Какие п/п работают в режиме пробоя?

2. Для чего применяются опорные диоджы?

3. Влияние температуры на В АХ диода

4. Виды пробоя электронно-дырочног переход

Литература

Б.С. Гершунский Основы электроники и микроэлектроники. (стр. 93-96)

Дата добавления: 2015-06-27