Вопросы для самопроверки. 1. Биполярный транзистор

1. Биполярный транзистор. Определение и принцип действия в активном режиме. Токи транзистора.

2. Биполярный транзистор. Схема включения с ОЭ, входные и выходные токи и напряжения. Коэффициент передачи входного тока. Входные и выходные характеристики транзистора.

3. Биполярный транзистор. Схема включения с ОБ, входные и выходные токи и напряжения. Коэффициент передачи входного тока. Входные и выходные характеристики.

4. h-параметры транзистора в схеме с ОЭ. Физический смысл, формулы и методика графического определения их по характеристикам.

5. h-параметры транзистора в схеме с ОБ. Физический смысл, формулы и методика графического определения их по характеристикам.

6. Температурные свойства биполярных транзисторов. Влияние температуры на характеристики и режим работы транзистора. Сравнение температурных свойств транзистора в схемах с ОЭ и ОБ.

7. Частотные свойства транзисторов. Причины зависимости усилительных свойств транзистора от частоты входного сигнала. Частотные параметры транзистора: предельная и граничная частота, максимальная частота генерации. Частотные свойства транзисторов в схемах с ОБ и ОЭ.

Лабораторная работа №3.

Снятие характеристик биполярного транзистора с ОБ.

Цель работы: построить входную и выходную характеристики биполярного транзистора.

Краткие теоретические сведения: Транзистором называется п/п прибор имеющий два электронно-дырочных перехода.

Рисунок 1

В зависимости от чередования областей кристалла возможны два типа транзистора рис.1

Рисунок 2

По обозначению эти два типа транзисторов также отличаются (рис.2)

Электронно-дырочный переход, включенный в прямом направлении называется эмиттерным, а в обратном - коллекторным. Средний слой кристалла называется базой.

Принцип действия транзистора основан на диффузии основных носителей, инжектируемых

эмиттером через базу в коллектор. В транзисторе р-п-р типа основными носителями заряда через прибор являются дырки и количество этих зарядов определяет величины тока в эмиттерной и коллекторных цепях.

Так как толщина базы очень мала, практически в транзисторе во время работы транзистора, когда эмиттерный переход, включенный в прямом направлении, обладает большим сопротивлением, напряжение в коллекторной и эмиттерной цепях значительно отличаются по величине этим обусловливается усилительные свойства транзистора.

Входные статические характеристики имеют различный вид. Входные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общей базой, представляют зависимость (рис.3).

Входная характеристика Выходная характеристика

Рисунок 3(а,б) Выходная характеристика транзистора представляет собой зависимость I_k=f(U_k-б) при I_э=const

Контрольные вопросы:

1.Принцип действия транзистора.

2.Схема включения транзистора.

3.Входные характеристики транзистора включенного по схеме с ОБ.

4.Выходные характеристики транзистора включенного по схеме с ОБ

5.Параметры транзисторов.

6.Типы транзисторов и их, обозначения.

Литература:

1.А.К.Криштафович "Основы промышленной электроники" Москва "Высшая школа", 1985 г.

2.Справочник "Радио и связь" под редакцией Голомедова Москва "Радио и связь", 1988 г.

Лабораторная работа №4.

Снятие характеристик биполярного транзистора с ОЭ.

Цель работы:

1.Снять входные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером при трёх постоянно заданных напряжениях на коллекторе.

2. Снять выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером при двух постоянно заданных значениях тока базы.

2.Краткие теоретические сведения:

Входные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером представляют зависимость (рис.1) Iб=f(Uбэ), U_K=const

Контрольные вопросы:

1 Принцип действия транзистора

2 Входные характеристики транзистора, включённого по схеме с ЭО.

3 Выходные характеристики транзистора, включённого по схеме с Э.

4 Коэффициэнт усиления по току транзистора, включённого по схеме с общим Э.

5 Конструкция транзистора.

6 Схема включения транзистора по схеме с ОЭ.

Литература:

1 Власов В.Ф стр.625-635

2 Батушев В.А стр.333-336

3 Дыкин А.В стр. 215-219

Практическое занятие №1.

Определение h-параметров транзистора по характеристикам

Цель работы: Ознакомиться с методикой определения параметров транзисторов, сравнить с паспортными.

э

Определить по характеристикам h₁₁, h₁₂. в качестве примера рассмотрим способ определения h-параметров транзистора (для схемы с общей базой). На входных характеристиках транзистора строят характеристический треугольник abc, из которого находим: h₁₁=∆U_ЭБ/∆I_Э при U_КБ = 0, где ∆U_ЭБ = bc; ∆I_Э = ab. Из этого же треугольника определяем: h₁₂ = ∆U_ЭБ/∆U_КБ при ∆I_Э = 0, где ∆U_ЭБ = bc.

Зарисовать характеристики транзистора с ОЭ

Входные характеристики с ОЭ

Выходные характеристики с ОЭ

Дата добавления: 2015-06-27