Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Работа № 3. Ключевой режим работы транзистора

КОНЕЦ

2 книга серии «Повелители теней» - Темная крепость

 

Аннотация:

После того как Кари, находясь в Клубе теней, расстаётся со своим парнем во время Ночи для новичков, у неё появляется уникальная возможность продолжить свой опыт с искусным Доминантом. Вначале, несмотря на свои еще не такие четкие фантазии о БДСМ, неискушенная школьная учительница планирует просто понаблюдать за всем происходящим. Но, под строгим руководством Мастера D, она не просто смотрит со стороны, а участвует, делая все, что тот от неё требует.

Переживающий смерть своей жены, Мастер Дэн избегает постоянных отношений с женщинами и никогда не спит два раза с одной и той же сабой. Но скромная малышка новенькая настолько мила, что одной ночи ему не достаточно. По мере того как он познает её чувства, уводя девушку всё дальше в мир БДСМ, нежная саба открывает ему глаза на то, насколько пустой стала его жизнь и какой неприступной стеной Дом окружил своё сердце.

За проведённые вместе три ночи обычная учительница научится подчиняться, но сможет ли она научить Мастера любви?

P.s: С Зетом и Джессикой мы не прощаемся, их история продолжается!

 

 

Перевод книги подготовлен специально для группы Шайла Блэк | Робертс | Синклер | КНИГИ И ПЕРЕВОДЫ http://vk.com/shayla_black

Любое копирование и размещение перевода без разрешения администрации группы, ссылки на группу и переводчиков запрещено.

Уважаемыt читатели, нам очень интересно Ваше мнение относительно нашего перевода. Отзывы и рецензии на тему книги, ваши творческие фото и видео — работы вы можете разместить в нашей группе в контакте http://vk.com/shayla_black

Цель работы - исследовать статические режимы и переходные процессы в схеме простого транзисторного ключа. Продолжительность работы - 3,5 часа.

Теоретическая часть

Транзисторные ключи (ТК) являются основой логических элементов ЭВМ. Дня отображения двоичных символов используются статические состояния ТК, в которых транзистор работает в режимах отсечки или насыщения. Во время переходных процессов при переключениииз одного статического состояния в другое транзистор работает в нормальном и инверсном активных режимах.

Основными параметрами статических состояний ТК являются напряжение насыщения Uкэн и обратный ток Jко. Режим отсечки ТК (рис. 12) характеризуется низким уровнем напряжения

Uвых=-Ек+IкоRк»-Ек. В режиме насыщения через ТК протекает ток

Uвых=Uкэ»0.

Основными параметрами переходных процессов являются: при включении ТК - время задержки и - длительность фронта, а при выключении tрас - время рассасывания накопленного в базе заряда и tc - длительность среза.

На рис. 13 представлены временные диаграммы, иллюстрирующие переходные процессы в ТK. Время задержки , где tвх=RбСвх; Uб0 - начальное напряжение на Свх. Длительность фронта определяется по формуле

Рис. 13. Временные диаграммы работы транзисторного ключа

Для удобства измерения фронта его часто определяют как время нарастания тока от уровня 0.1Iкн до уровня 0.9Jкн; . В этих формулах (fв -верхняя граничная частота каскада ОЭ),а - коэффициент насыщения. Ток базы, соответствующий границе насыщения,

Время рассасывания заряда в базе , где tu - время жизни неосновных носителей в базе в режиме насыщения.

Время рассасывания характеризуется интервалом времени от момента подачи запирающего входного напряжения +Еб2 до момента, когда заряд в базе уменьшается до граничного значения Qгр=Iбнtu, при котором транзистор переходит из насыщенного состояния в активный режим. Если коллекторный переход запирается раньше эмиттерного (tк<tэ) то транзистор переходит в нормальный активный режим, если наоборот (tэu < tкu), то в инверсный активный режим. В последнем случае на графике Ik и Uк появляется характерный выброс (рис. 13, штриховые линии).

Заканчивается переходный процесс при выключении транзистора срезом выходного напряжения (задним фронтом). Длительность tc можно оценить, считая, что процесс формирования заднего фронта заканчивается при Q»0. Тогда .

Однако в реальных схемах большая часть среза выходного напряжения происходит, когда транзистор находится в режимаотсечки. Поэтому длительность среза определяется постоянной времени tк=RкСк или tк=Rк(Ск+Сн) с учетом емкости нагрузки Сн. Конденсатор С в схеме ТК (рис. 12. пунктир) является форсирующим. Он позволяет увеличить токи базы Iб1 и Iб2 нa короткий промежуток времени, в то время как стационарные токи базы практически не меняются, это приводит к повышению быстродействия ТК. Другим способом увеличения быстродействия ТК является введение нелинейной обратной связи. Диод с малым временем восстановления (диод Шоттки), включенный между коллектором и базой, предотвращает глубокое насыщение ТК, фиксируя потенциал коллектора относительно потенциала базы. Такие ТК называют ненасыщенными.

Описание макета

Макет, схема которого показана на рис. 14, позволяет исследовать статические состояния ключа и переходные процессы в нем. В первом случае с помощью переключателя BI возможна подача в цепь базы низкого уровня напряжения от источника G1 с сопротивлением в его -цепи R1. Для измерения постоянных токов и напряжений в цепях ключа используется прибор, установленный на панели лабораторного стенда о пределами измерения тока J1=20 мА, J2 = 200 мкА, U1=20В, U2=0,2 В.

Рис. 14. Схема макета лабораторной работы и 3

При исследовании переходных процессов на вход схемы подаются импульсы отрицательной полярности амплитудой не более 15 В от генератора прямоугольных импульсов. В схеме макета предусмотрена возможность установки в коллекторной и базовой цепях транзистора различных деталей (резисторов и конденсаторов) с целью исследования влиянияих параметров на свойства исследуемого ключа. Так, возможна смена резисторов в коллекторной цепи (переключатель В4),подключение к схеме ускоряющего конденсатора С2 (переключательВ2), подключение к выходу ключа нагрузочного конденсатора СЗ (переключатель ВЗ). В схеме установлен маломощный низкочастотный транзистор МП42А (fa = I...3 мГц, Вст = 30...60, Ск= 30 пф, Ркмакс=200мвт). Резисторы и конденсаторы имеют следующие номиналы:

R1=75 кОм, R6=5,1 кОм
R2=3 кОм R7=10 кОм
R3=,130 Ом. R8=75 кОм
R4=910 Ом, C1=10,0 мкф
R5=30 кОм C2=1000 пФ
  C3=470 пф.

Напряжение источника G1 следует установить равным 10 В.

Задание

1. Измерить статический коэффициент усиления по току транзистора, установленного в ключе.

2. Исследовать статические состояния ТК при различных Rк. Определить величину сопротивления , соответствующую границе насыщения.

3. Исследовать характеристики ТК в динамическом режиме. Выявить зависимости основных параметров переходных процессов tф,tрас,tc от амплитуды входного напряжения. Построить соответствующие графики. Для одногоиз значений входного напряжения рассчитать- tф,tрас,tc по приведенным формулам. Оценить расхождение расчетных величин и измеренных.

4. Исследовать влияние форсирующего конденсаторана основные параметры переходных процессов.

5. Определить, на какие параметры ТК оказывает влияние конденсатор нагрузочной цепи.

6. Определить, прикаких параметрах коммутируемых элементов схемы ТК макета возникает инверсное запирание.

Контрольные вопросы

1. Каково назначение ключевой схемы?

2. Какими основными параметрами характеризуется ключ?

3. Как зависят параметры переходных процессов от глубины насыщения?

4. Что такое инверсное запирание ТК?

5. В чем смысл введения форсирующего конденсатора?

6. Как влияет емкость нагрузки на длительность переходных процессов?

7. Как влияет амплитуда входного сигнала на параметры ТК?

8. Поясните процессы в ТК по временной диаграмме.

Литература

Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. - U.: Высшая школа,1982. - 495 с.,

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Серия: Повелители теней-1 11 страница | Утица да ты ли луговая 1 страница
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-28; Просмотров: 461; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.013 сек.