Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Емкость при обратном смещении


Помощь в написании учебных работ
1500+ квалифицированных специалистов готовы вам помочь

Ширина и барьерная емкость электронно-дырочного перехода

 

 

Если к п/п прикладывается внешняя разность потенциалов Uвнеш , то в зависимости величины приложенного поля к обратно смещенному p-n переходу происходит уменьшение или увеличение объемных зарядов у его границ обусловленных неподвижными ионами доноров и акцепторов (рис. 5.1).

 

!! Барьерную емкость образуют ионы доноров и акцепторов

 

Рис. 5.1 Образование пространственного заряда при обратно смещенном p-n переходе

 

Обратно смещенный плоский p-n переход, ведет себя подобно электрической емкости. Эта емкость, называемая барьерной емкостью, и определяется, как емкость обычного плоского конденсатора.

 

Заряды, обусловли­вающие барьерную емкость Cб, сосредоточены в двух тонких слоях плоского p-n перехода, расположенных на расстоянии D один от другого, что очень напоминает поверхностные заряды на металлических обкладках конденсатора.

 

С = eoe S/D (5.1)

 

где eo = 8,85.10-12ф/м - абсолютная диэлектрическая проницаемость;

e - относительная диэлектрическая проницаемость;

S - площадь перехода.

 

Величина барьерной емкости

 

Cбар = dQ/dV (5.2)

 

где dQ – изменение заряда;

dV – изменение разности потенциалов на нем.

Разность потенциалов на переходе

 

V = (fk + Uвнеш) (5.3)

 

Заряды на “обкладках“ (рис. 5.1) p-n перехода (на единичной площади перехода, S=1)

 

Q+ = qNд(xo - x”)

Q- = qNа(x’- xo) (5.4)

 

Решая систему 5.4 относительно D с учетом 5.2, 5,3 и V=fk, получим оценочную величину ширины p-n перехода в равновесном состоянии

 

D = ((e eofk /q)(1/Na+1/Nд))0.5 (5.5)

можно показать, что в неравновесном состоянии и обратно смещенном p-n переходе

 

D = k1 /(fk + Uвнеш)0.5 (5.6)

 

Барьерная емкость с учетом 5.1 и 5.6

 

Сбар = eoe S/D = k2 /(fk + Uвнеш)0.5 (5.7)

 

k1, k2 коэффициенты

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Захоронение отходов, отвечающее действующим природоохранным нормам | Емкость при прямом смещении

Дата добавления: 2014-01-03; Просмотров: 336; Нарушение авторских прав?;


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



ПОИСК ПО САЙТУ:


Читайте также:
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2022) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.024 сек.