КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Емкость при прямом смещении
Диффузионная ёмкость связана с процессами накопления и рассасывания неравновесного заряда и характеризует инерционность движения неравновесных зарядов. При прямом включении p-n перехода носители диффундируют через переход и накапливаются в соседней области.
Количество инжектированного в соседнюю область носителей заряда зависит от величины приложенного к p-n переходу напряжения U, т.е. изменение инжектированного заряда при изменении приложенного напряжения может характеризоваться емкостью, которую принято называть диффузионной.
Cдифф=dQ/du (5.8)
где Q - инжектированный заряд.
Будем считать, что p-n переход несимметричный и концентрация дырок в p области значительно больше концентрации электронов в n области.
Тогда заряд дырок, инжектированных в n-область
Q = qS∫Dp(x)dx = f(U) (5.9) Dp(x) плотность распределения носителей заряда (инжектированных дырок) в n-области Можно показать, используя 5.8 и 5.9
Cдифф=dQ/du = k3 Jp t эфф exp(U/f T) / f T (5.10) k3 ~0.5-1 tэфф - эффективное время жизни неосновных носителей. Jp – плотность дырочного тока
Таким образом, как видно из (5.10), диффузионная емкость зависит от величины прямого тока через p-n переход и времени жизни носителей заряда, которое определяет глубину их проникновения в соседнюю область. Чем больше время жизни инжектированных носителей заряда, тем на большую глубину они проникают и тем больше величина инжектированного заряда.
!! Диффузионную емкость образуют неосновные носители заряда.
Рис. 5.2 Барьерная и диффузионная емкости перехода
Общая емкость перехода равна сумме барьерной и диффузионной емкостям.
С= Сбар+ Cдифф (5.11)
Дата добавления: 2014-01-03; Просмотров: 392; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |