КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Барьерные слои для медной металлизации
Как уже говорилось, в качестве материала горизонтальных и вертикальных межсоединений все чаще применяется медь, которая имеет низкое удельное электрическое сопротивление 1.72 мкОм*см (для сравнения удельное сопротивление алюминия составляет 2.83 мкОм*см) и лучшее (на 3 порядка выше чем у Al) сопротивление к электромиграции. Среди недостатков были отмечены плохая адгезия к SiO2 и полимерным диэлектрикам, быстрое окисление на воздухе, сильная диффузия во многие диэлектрики, включая SiO2, и в Si. Решить эти проблемы можно двумя способами. Первый заключается в использовании барьерно-адгезионного слоя. Основным препятствием при его реализации является выбор материала, толщины и метода формирования барьерного слоя, поскольку, с одной стороны, он должен предотвращать взаимную диффузию между Cu и другими материалами, а с другой, не сильно повышать сопротивление межсоединения. Второй метод, который может значительно упростить технологию формирования медных межсоединений, заключается в осаждении медных сплавов. За счет процессов самоорганизации происходит фазовое расслоение сплава и образование диффузионного барьера на границе с диэлектриком. Добавленный элемент также окисляется на поверхности и формирует слой защитного оксида. Были исследованы различные сплавы: Cu(Mg), Cu(Al), Cu(Ti), Cu(Zr), Cu(Cr), Cu(Ta). Например, при отжиге системы Cu(4.5% Mg)/SiO2/Si в атмосфере кислорода (Т=400оС) происходит диффузия Mg из сплава на поверхность и границы раздела с SiO2 с образованием фазы MgO. Сформировавшаяся в результате отжига структура остается стабильной до температуры 700оС, при времени отжига 30 мин. Правда сформированные таким образом медные проводники имеют большее удельное сопротивление. Кроме того, в канавках с большим аспектным отношением фазовое расслоение происходит неравномерно. Таким образом, можно говорить лишь о том, что данный подход имеет потенциальное применения в нанотехнологии.
Дата добавления: 2014-01-03; Просмотров: 432; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |