Наиболее распространена оценка схемы по двум параметрам— задержке Т и аппаратурным затратам W

Значения ряда других важных параметров цифрового блока—потребляемой мощности, частоты отказов, стоимости — при заданной элементной базе и априорно невысокой точности оценок в первом приближении допустимо считать пропорциональными аппаратурным затратам.

В дальнейшем методика оценки качества схем иллюстрируется на примере именно этой пары параметров — Т и W.

При работе на микросхемах задержка Т схемы достаточно объективно оценивается значением среднего времени задержки распространения t_зд.р.ср входящих в нее элементов. В рамках одной серии обычно целесообразно полагать, что задержки всех логических элементов россыпи — И-НЕ, И, И-ИЛИ-НЕ, М2 — одинаковы и равны некоторой усредненной для данной серии величине t.

Для серий К155 и К555, например, значение t можно принять равным 20 нc. Задержку более сложных микросхем средней интеграции, целесообразно округлять до значения, кратного целому t или его половине.

Аппаратурные затраты W функционального узла оценивают различными способами. Хорошие результаты дает оценка величины W площадью, занимаемой узлом на плате или кристалле. При использовании микросхем площадь платы при прочих равных условиях приблизительно пропорциональна числу корпусов. Размеры корпусов различны, поэтому их приходится приводить к какому-то единому, принятому за единицу. В качестве масштаба можно использовать отношение площадей корпусов или чисел их выводов. Можно оценивать величину W схемы и непосредственно суммарным числом выводов всех корпусов.

При оценке задержки схем, предназначенных для воплощения на кристалле матричной БИС, следует иметь в виду, что для целого ряда технологий задержка средней межэлементной связи на кристалле соизмерима с задержкой самого логического элемента. Поэтому действительное значение задержки схемы на кристалле становится известным лишь после размещения на нем элементов и трассировки связей. Это приводит к тому, что методика оценки задержки схемы суммированием задержек логических элементов дает при работе на кристалле заметно большую погрешность, чем та же методика при работе на отдельных микросхехмах.

Дата добавления: 2014-01-03