Электронная теория проводимости 2 страница

4) ток течет в направлении 2, .

1. При исследовании типа примесной проводимости полупроводника по исследованию эффекта Холла и продольной разности температур, если проводник дырочный, то должны быть получены результаты:

1) , ;

2) , ;

3) , ;

4) , .

1. При исследовании типа примесной проводимости полупроводника по исследованию эффекта Холла и продольной разности температур, если проводник электронный, то должны быть получены результаты:

1) , ;

2) , ;

3) , ;

4) , .

1. Результаты исследования эффекта Холла в дырочном полупроводнике верно приведены в ответе:

1)

2)

3)

4)

1. Результаты исследования эффекта Холла в электронном полупроводнике верно приведены в ответе:

1)

2)

3)

4)

1. Тепло Пельтье будет выделяться в контакте металлов, если:

1) , а ток течет в направлении 2;

2) , а ток течет в направлении 1;

3) , а ток течет в направлении 1;

4) предсказать по этим данным невозможно.

1. Тепло Пельтье будет поглощаться в контакте металлов, если:

1) , а ток течет в направлении 2;

2) , а ток течет в направлении 1;

3) , а ток течет в направлении 1;

4) предсказать по этим данным невозможно.

1. Укажите правильный ответ. Тепло Томсона выделяется:

1) полупроводник дырочный, , ток течет в направлении 2;

2) полупроводник электронный, , ток течет в направлении 1;

3) полупроводник электронный, , ток течет в направлении 2;

4) полупроводник дырочный, , ток течет в направлении 1.

1. Возникновение эффекта Зеебека:

1) хорошо объясняется в рамках классической электронной теории;

2) для объяснения надо пользоваться результатами зонной теории;

3) для объяснения была создана теория Бардина, Купера, Шриффера;

4) ни одна из этих теорий не объясняет эффект.

1. Для создания микрохолодильников используют эффект:

1) Холла;

2) Зеебека;

3) Пельтье;

4) Керра.

1. Для измерения разности температур используют эффект:

1) Холла;

2) Зеебека;

3) Пельтье;

4) Керра.

1. Для непосредственного преобразования тепловой энергии в электрическую можно использовать эффект:

1) Холла;

2) Зеебека;

3) Пельтье;

4) Керра.

1. Для измерения индукции магнитного поля часто используют эффект:

1) Холла;

2) Зеебека;

3) Пельтье;

4) Керра.

1. Возникновение эффекта Холла:

1) хорошо объясняется в рамках классической электронной теории;

2) для объяснения надо пользоваться результатами зонной теории;

3) для объяснения была создана теория Бардина, Купера, Шриффера;

4) ни одна из этих теорий не объясняет эффект.

100. Возникновение эффекта Пельтье:

1) хорошо объясняется в рамках классической электронной теории;

2) для объяснения надо пользоваться результатами зонной теории;

3) для объяснения была создана теория Бардина, Купера, Шриффера;

4) ни одна из этих теорий не объясняет эффект.

101. Внутренняя контактная разность потенциалов в металлах зависит от (укажите неправильные ответы):

1) отношения концентраций носителей заряда;

2) температуры;

3) только от концентрации носителей в одном из металлов;

4) от разности концентраций носителей.

102. Первооткрывателем явления сверхпроводимости был:

1) Фарадей;

2) Максвелл;

3) Каммерленг-Оннес;

4) Лоренц.

103. Явление сверхпроводимости было объяснено на микроскопическом уровне в рамках теории:

1) классической электронной;

2) зонной;

3) БКШ;

4) другой.

104. В соответствии с теорией БКШ электроны в классических сверхпроводниках взаимодействуют между собой за счет:

1) электрон-электронного взаимодействия;

2) электрон-фононного взаимодействия;

3) не взаимодействуют;

4) Кулоновского взаимодействия.

105. Самая высокая температура перехода в сверхпроводящее состояние для классических сверхпроводников составляла величину порядка:

1) 1 К;

2) 10 К;

3) 25 К;

4) 100 К.

106. Классическая сверхпроводимость имеет место в:

1) металлах;

2) полупроводниках;

3) диэлектриках;

4) в любых веществах.

107. Высокотемпературная сверхпроводимость обнаружена в:

1) металлах;

2) полупроводниках;

3) диэлектриках;

4) в любых веществах.

108. Электроны, объединяющиеся в куперовские пары, должны иметь (укажите неправильный ответ):

1) противоположные спины;

2) противоположные импульсы теплового движения;

3) противоположные импульсы направленного движения.

109. Состояние сверхпроводимости можно разрушить (укажите неправильный ответ):

1) сильным магнитным полем;

2) нагреванием;

3) пропусканием по сверхпроводнику большого тока;

4) поднесением к сверхпроводнику другого сверхпроводника.

110. В сверхпроводнике внешнее стационарное магнитное поле:

1) ослабляется;

2) увеличивается;

3) оно не проникает в сверхпроводник;

4) порождает электрическое поле.

111. Токи Майснера протекают:

1) по поверхности сверхпроводника;

2) в его объеме;

3) и в объеме и на поверхности;

4) в сверхпроводнике никогда не возникают.

112. Макроскопический квантовый эффект, связанный со сверхпроводимостью, заключается в том, что:

1) в сверхпроводнике при включении магнитного поля индукция магнитного поля квантуется;

2) при выключении магнитного поля, в которое был помещен неодносвязный образец сверхпроводника, индукция оставшегося магнитного поля может меняться только дискретно;

3) ток Майснера может меняться только дискретно;

4) нагревание сверхпроводника происходит скачками.

113. Ток Майснера в сверхпроводнике можно создать:

1) только меняя магнитное поле, в котором находится сверхпроводник;

2) только переводя находящийся в магнитном поле образец в сверхпроводящее состояние;

3) любым из этих способов;

4) подключая к сверхпроводнику источник тока.

114. Направление токов Майснера можно определять в сверхпроводнике:

1) по правилу буравчика;

2) по правилу левой руки;

3) по правилу Ленца;

4) ни одно из этих правил не подходит.

115. Для носителей заряда в сверхпроводниках используют статистику:

1) Ферми-Дирака;

2) Больцмана;

3) Бозе-Эйнштейна;

4) другие статистики.

116. В высокотемпературных сверхпроводниках перенос заряда осуществляется:

1) одиночными ионами;

2) спаренными ионами;

3) одиночными электронами;

4) спаренными электронами.

117. Какая из вольтамперных характеристик относится к полупроводниковому диоду:

1) 2)

3) 4)

118. Какая из вольтамперных характеристик относится к вакуумному диоду:

1) 2)

3) 4)

119. Укажите, какое устройство из названных не является полупроводниковым прибором:

1) диод;

2) транзистор;

3) тиратрон;

4) тиристор.

120. Диоды (полупроводниковые, вакуумные) можно использовать для:

1) генерации колебаний;

2) выпрямления переменного тока;

3) усиления колебаний;

4) ни по одному из названных назначений.

121. При включении транзистора в схему усиления «с общей барой» устройством можно усиливать (укажите неправильный ответ):

1) только ток;

2) только мощность;

3) только напряжение;

4) мощность и напряжение.

122. Полупроводниковый диод обозначается на электрической схеме:

1) 2)

3) 4)

123. При протекании тока в прямом направлении через p-n переход:

1) дырки движутся из р в n область, электроны из р в n область;

2) дырки движутся из р в n область, электроны из n в p область;

3) дырки движутся из n в p область, электроны из р в n область;

4) дырки движутся из n в p область, электроны из n в p область.

124. При повышении температуры полупроводниковые приборы перестают работать из-за:

1) увеличения числа неосновных носителей;

2) изменения типа примесной проводимости;

3) перехода к ионной проводимости;

4) спаривания электронов.

125. В вакуумных электронных лампах носители заряда появляются за счет:

1) автоэлектронной эмиссии;

2) вторичной эмиссии;

3) термоэлектронной эмиссии;

4) другого эффекта.

126. Вакуумная лампа с двумя электродами называется:

1) диод;

2) триод;

3) тетрод;

4) пентод.

127. Вакуумная лампа с тремя электродами называется:

1) диод;

2) триод;

3) тетрод;

4) пентод.

128. Вакуумная лампа с четырьмя электродами называется:

1) диод;

2) триод;

3) тетрод;

4) пентод.

129. Вакуумная лампа с пятью электродами называется:

1) диод;

2) триод;

3) тетрод;

4) пентод.

130. Газонаполненная лампа с двумя холодными электродами называется:

1) газотрон;

2) неоновая;

3) тиратрон;

4) диод.

131. Газонаполненная лампа с двумя электродами, один из которых подогревной, называется:

1) газотрон;

2) неоновая;

3) тиратрон;

4) диод.

132. Газонаполненная лампа с тремя электродами, один из которых подогревной, называется:

1) газотрон;

2) неоновая;

3) тиратрон;

4) диод.

133. В рабочем режиме в газонаполненных лампах носители заряда возникают за счет:

1) термоэлектронной эмиссии;

2) ударной ионизации;

3) вторичной эмиссии;

4) автоэлектронной эмиссии.

134. Не удается запереть электронную лампу подачей отрицательного напряжения на сетку:

1) в вакуумном триоде;

2) в тиратроне;

3) и в вакуумном триоде и в тиратроне;

4) ни в одной из этих ламп.

135. Частота электрического сигнала усиливаемого с помощью вакуумного триода ограничена:

1) дробовым эффектом;

2) электрическими флуктуациями;

3) вторичной эмиссией;

4) инерцией электронов.

136. Коэффициент усиления каскада усилителей на вакуумных лампах ограничен из-за (укажите не имеющий отношения к вопросу ответ):

1) дробовым эффектом;

2) электрическими флуктуациями;

3) шумами электронной лампы;

4) инерцией электронов.

137. Динатронный эффект в тетродах вызван:

1) дробовым эффектом;

2) инерцией электронов;

3) вторичной электронной эмиссией;

4) электрическими флуктуациями.

138. Вторичная электронная эмиссия используется:

1) в электронных вакуумных лампах;

2) в электронных умножителях;

3) в газонаполненных лампах;

4) в полупроводниковых приборах.

139. Вылет электронов из металлов при их нагревании:

1) автоэлектронная эмиссия;

2) термоэлектронная эмиссия;

3) вторичная эмиссия;

4) внешний фотоэффект.

140. Вылет электронов из металлов под действием сильного электрического поля:

1) автоэлектронная эмиссия;

2) термоэлектронная эмиссия;

3) вторичная эмиссия;

4) внешний фотоэффект.

141. Вылет электронов из металлов под действием их бомбардировки частицами:

1) автоэлектронная эмиссия;

2) термоэлектронная эмиссия;

3) вторичная эмиссия;

4) внешний фотоэффект.

142. Вольтамперная характеристика вакуумного диода нелинейна при малых анодных напряжениях, в основном, из-за:

1) насыщения;

2) наличия пространственного заряда;

3) нагрева катода;

4) вторичной эмиссии.

143. Вольтамперная характеристика вакуумного диода нелинейна при больших анодных напряжениях, в основном, из-за:

1) насыщения;

2) наличия пространственного заряда;

3) нагрева катода;

4) вторичной эмиссии.

144. Какое распределение потенциала имеет место в вакуумном диоде при подаче отрицательных потенциалов на анод:

1) 1;

2) 2;

3) 3;

4) 4.

145. Зависимость тока в вакуумном диоде от напряжения между анодом и катодом называется:

1) закон Ома;

2) закон Ричардсона-Дэшмена;

3) закон Ричардсона;

4) закон Богуславского-Лэнгмюра.

146. В пентоде на экранирующую сетку подается потенциал:

1) который надо усилить;

2) анодный потенциал;

3) катодный потенциал;

4) она не подключена в цепь.

147. В пентоде на антидинатронную сетку подается потенциал:

1) который надо усилить;

2) анодный потенциал;

3) катодный потенциал;

4) она не подключена в цепь.

148. В пентоде на управляющую сетку подается потенциал:

1) который надо усилить;

2) анодный потенциал;

3) катодный потенциал;

4) она не подключена в цепь.

149. Измеренные величины массы электронов в полупроводниках не совпадают с массой свободных электронов из-за:

1) внутреннего фотоэффекта;

2) зависимости сопротивления от магнитного поля;

3) наличия дырок в полупроводниках;

4) воздействия на носители кристаллической решетки.

150. Носителями заряда в полупроводниках при примесной проводимости могут быть:

1) электроны и дырки в равных концентрациях;

2) электроны или дырки;

3) ионы;

4) куперовские электронные пары.

151. Носителями заряда в полупроводниках при собственной проводимости могут быть:

1) электроны и дырки в равных концентрациях;

2) электроны или дырки;

3) ионы;

4) куперовские электронные пары.

152. Из р-области в n-область полупроводникового диода свободно проходят:

1) ионы;

2) дырки;

3) электроны;

4) электроны и дырки.

153. Из n-области в р-область полупроводникового диода свободно проходят:

1) ионы;

2) дырки;

3) электроны;

4) электроны и дырки.

154. В базе р-n-р транзистора основными носителями заряда являются:

1) электроны;

2) дырки;

3) ионы;

4) куперовские пары электронов.

155. В базе n-р-n транзистора основными носителями заряда являются:

1) электроны;

2) дырки;

3) ионы;

4) куперовские пары электронов.

156. Тепло на контакте двух веществ выделяется или поглощается при протекании тока за счет эффектов:

1) Холла;

2) Зеебека;

3) Томсона;

4) Пельтье.

157. Термоток в замкнутой цепи из двух веществ, контакты которых находятся при разных температурах, возникает за счет эффектов:

1) Холла;

2) Зеебека;

3) Томсона;

4) Пельтье.

158. При протекании тока через образец вещества, в котором имеется градиент температуры, тепло выделяется или поглощается за счет эффектов:

1) Холла;

2) Зеебека;

3) Томсона;

4) Пельтье.

159. Электрическое поле в образце вещества, через который течет ток и в котором создано магнитное поле, возникает за счет эффектов:

1) Холла;

2) Зеебека;

3) Томсона;

4) Пельтье.

160. С помощью механико-магнитных эффектов можно определить:

1) удельный заряд носителей;

2) элементарный электрический заряд;

3) гиромагнитное отношение;

4) знак носителей заряда.

161. С помощью циклотронного резонанса можно определить:

1) удельный заряд носителей;

2) элементарный электрический заряд;

3) гиромагнитное отношение;

4) знак носителей заряда.

162. С помощью эффекта Холла можно определить:

1) удельный заряд носителей;

2) элементарный электрический заряд;

3) гиромагнитное отношение;

4) знак носителей заряда.

163. С помощью электронного парамагнитного резонанса можно определить:

1) удельный заряд носителей;

2) элементарный электрический заряд;

3) гиромагнитное отношение;

4) знак носителей заряда.

164. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью эффектов:

1) Пельтье;

2) Зеебека;

3) Томсона;

4) Холла.

165. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью:

1) метода горячего зонда;

2) эффекта Пельтье;

3) правила Ленца;

4) эффекта Зеебека.

166. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью:

1) эффекта Томсона;

2) эффекта Пельтье;

3) эффекта Зеебека;

4) циклотронного резонанса.

167. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью:

1) магнитоэлектрического эффекта: измерения продольной разности температур;

2) магнитоэлектрического эффекта: измерения поперечной разности температур;

3) циклотронного резонанса;

4) электронного парамагнитного резонанса.

168. В классическом сверхпроводнике носителями заряда являются:

1) ионы;

2) электроны;

3) дырки;

4) куперовские спаренные электроны.

169. Сверхпроводник является:

1) идеальным парамагнетиком;

2) идеальным сегнетоэлектриком;

3) идеальным параэлектриком;

4) идеальным диамагнетиком.

170. В «высокотемпературных» сверхпроводниках температура перехода в сверхпроводящее состояние лежит в диапазоне:

1) более 300 К;

2) 200 – 300 К;

3) 100 – 200 К;

4) ниже 25 К.

171. Сильное магнитное поле:

1) разрушает состояние сверхпроводимости;

2) повышает температуру перехода в сверхпроводящее состояние;

3) снижает температуру перехода в сверхпроводящее состояние;

4) способствует протеканию токов Майснера.

172. Носителями заряда в газах могут быть:

1) электроны или дырки;

2) ионы;

3) электроны;

4) ионы и электроны.

173. Процесс создания носителей заряда в жидкостях называют:

1) ионизация;

2) поляризация;

3) электролитическая диссоциация;

4) электролиз.

174. Процесс выделения вещества на электродах при протекании тока называют:

1) ионизация;

2) поляризация;

3) электролитическая диссоциация;

4) электролиз.

175. Электролиз исследовал:

1) Максвелл;

2) Лоренц;

3) Фарадей;

4) Ленц.

176. Масса вещества, выделяющегося при электролизе на электроде, пропорциональна заряду, протекающему через электролит , – это:

1) химический коэффициент;

2) электрохимический коэффициент;

3) число Фарадея;

4) число Лошмита.

177. Объединенный закон Фарадея для электролиза имеет вид , – это:

1) химический коэффициент;

2) электрохимический коэффициент;

3) число Фарадея;

Дата добавления: 2015-07-13