КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Полупроводниковые материалы
1. Материалы, занимающие промежуточное положение по проводимости между диэлектриками и проводниками, называются…
+ полупроводниками магнитными сверхпроводниками криопроводниками
2. Ширина запрещенной энергетической зоны в полупроводниках составляет_____эВ.
+ 0,05-3 более 3 более 8
3. К простым полупроводникам относятся…
+ и и и и
4. К полупроводниковым относятся все материалы ряда…
+ SiC, Ge, Se, полиацетилен Р, Si, Na, полиэтилен B, Si, Al, поливинилхлорид Si, Ge, Se, полистирол
5. К полупроводниковым химическим соединениям относится…
+ SiC Н2O NaCl H2SO4
6. Наиболее часто применяемым полупроводниковым элементом является…
+ кремний углерод йод сера
7. Самым распространенным полупроводниковым элементом в земной коре является
+ кремний селен теллур йод
8. Если энергетические уровни атомов примеси находятся в запрещенной зоне вблизи валентной зоны полупроводника, то электропроводность полупроводника называется…
+ дырочной электронной ионной молионной
9. Примеси, поставляющие электроны в зону проводимости в полупроводниках, называют…
+ донорами акцепторами дислокациями вакансиями
10. Проводимость n -типа в полупроводниках обусловлена…
+ электронами дырками ионами молекулами
11. Температурный коэффициент удельного электрического сопротивления полупроводников в широком интервале температур…
+ отрицательный положительный равен нулю не зависит от температуры
12. На зависимости удельной электропроводности примесного полупроводника от температуры участком собственной электропроводности является участок…
+ ВГ АБ БВ АВ
13. Электропроводность полупроводника, обусловленная носителями зарядов, образовавшихся из атомов самого полупроводника, является…
+ собственной примесной донорной акцепторной
14. С повышением температуры концентрация носителей зарядов в полупроводнике…
увеличивается уменьшается не изменяется меняется скачкообразно
15. Полупроводники обладают проводимостью …
+ электронно-дырочной ионной катионной ядерной
16. Если в решетке (IV группа) находится примесь – элемент V группы , то такая примесь создает в решетке проводимость…
+ электронную дырочную собственную все виды
17. Основными факторами, с помощью которых управляют электропроводностью полупроводников, являются…
+ свет и тепло влага и давление закалка и отпуск рекристаллизация и сфероидизация
18. Изменение электропроводности полупроводников под действием света называется…
+ фотопроводимостью тензочувствительностью рекомбинацией анизотропией
19. Для изготовления диодов, транзисторов используют материалы…
+ полупроводниковые проводниковые диэлектрические электролиты
20. Управляемость электропроводностью полупроводниковых материалов посредством электрического поля положена в основу принципа действия…
+ варисторов терморезисторов тензорезисторов фоторезисторов
21. Наилучшей воспроизводимостью параметров обладают полупроводниковые приборы, полученные из…
+ монокристаллов поликристаллов сферолитов доменов
22. Тонкие монокристаллические слои полупроводника, осажденные на поверхности кристаллической подложки, называются…
+ эпитаксиальными диффузионными эпитафиальными доменными
23. Верхний предел рабочей температуры карбида кремния составляет_____°С.
+ 600
24. Самую высокую температуру плавления из простых полупроводников имеет…
+
25. Одним из эффективных методов глубокой очистки полупроводниковых материалов является метод…
+ зонной плавки кристаллизации рекристаллизации ионизации
Дата добавления: 2017-01-13; Просмотров: 1947; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |