Нанесение зеркального покрытия термическим испарением в вакууме

Нанесение покрытий

Для повышения коэффициента отражения и защиты магнитной пленки от химического и механического взаимодействия требуется нанести зеркальное покрытие.

Получение тонких пленок на основе термического испарения материала осуществляется в вакуумной установке (ВУ) с подколпачным устройством. Требуется нанести покрытие толщиной 0,4 мкм из алюминия (Т_ис,660 °С) с подслоем хрома (Т_ис,1900 °С).

Установка вакуумная модели ВУ-1А

Изделие предназначено для нанесения покрытий на оптические детали методом резистивного и электронно-лучевого испарения диэлектриков, полупроводниковых материалов и металлов с одновременным контролем толщины покрытия. Установка обеспечивает возможность нанесения многослойных ахроматических покрытий на деталях серийной продукции, а также металлических, однослойных просветляющих, интерференционных зеркальных, фильтрующих и других для различных областей спектра. Установка может эксплуатироваться в закрытых сухих помещениях промышленных объектов категории 4.2. по ГОСТ 15150-69 и климатических условиях:

· температура окружающей среды от 17⁰С до 27⁰С;

· относительная влажность от 40 до 75%;

· атмосферное давление от 8,4.10⁴ до 10,6.10⁴Па (630 до 780 мм.рт.ст.)

В состав установки входит:

· откачной пост (с высоковакуумными откачными средствами, вакуумной системой и пневмо-гидроаппаратурой);

· форвакуумный агрегат;

· электрооборудование (с двумя стойками управления- управление вакуумной системой и управление технологическими источниками).

В таблице 4.3 приведены основные характеристики ВУ-1А.

Таблица 4.3. Технические характеристики

Давление в камере при одновременном нагреве ее до 320^0С и при охлаждении всех ловушек жидким азотом, Па	4х10^-4
Время достижения давления 4х10^-4Па, мин, не более
Регулируемая температура нагрева в камере, С^0	от 100 до 320
Количество резистивных испарителей, шт.
Количество электронно-лучевых испарителей, шт.
Вместимость деталей размерами, шт. · диаметром 40 мм · диаметром 70 мм	70 6
Напряжение источника питания тлеющего разряда ионной очистки на холостом ходу, В	от 2175± 20% до 4350± 20%
Максимальный ток тлеющего разряда ионной очистки А, не более	0,4
Максимально допустимый ток резистивного испарителя при напряжении на трансформаторах А, не более: · 12В · 24В	300 150
Максимальный ток электронно-лучевого испарителя, мА	480±20
Мощность, потребляемая установкой, кВт, не более
Масса установки, кг, не более	1 900
Площадь, занимаемая установкой, м^2, не более

Рис.4.10. Схема вакуумной установки

Процесс нанесения зеркального покрытия:

1. Подготовка подложек – промывка и обезжиривание их этиловым спиртом

2. Подготовка вакуумной камеры включает промывку и сушку колпака и технологической оснастки, размещение подложек в оправах оснастки.

3. Откачивание воздуха из вакуумной камеры до давления до 10^-3 мм рт ст форвакуумным насосом

4. Обработку подложек тлеющим разрядом

5. Откачивание воздуха из вакуумной камеры до до 10^-6 мм рт ст

6. Испарение вещества происходит под колпаком после откачки воздуха

7. Разгерметизация колпака

8. Контроль покрытия. Инструмент: Микроскоп металлографический рабочий ММР-4

Дата добавления: 2017-01-14