ВАХ МОП-транзистора с наведенным p-каналом

МОП-транзистор с наведенным каналом

Исток и Сток выполнены в виде сильнолегированных -областей в слаболегированной подложке -типа (). Подложка соединена с Истоком. Затвор представляет собой тонкую пленку алюминия, напыленную на поверхность диэлектрика (двуокись кремния).

При подаче на Затвор достаточно большого отрицательного напряжения (“минус” на Затворе, “плюс” на Истоке и Подложке) в кристалле возникает сильное поперечное поле , которое “вытягивает” электроны из-под Затвора вглубь кристалла.

Таким образом, под Затвором увеличивается концентрация дырок, т.е. изменяется тип электропроводности (с n на p) – происходит так называемая инверсия. Инверсия происходит при напряжении .

Возникший тонкий слой p-типа и образует канал, который изолируется от кристалла значительным по толщине обратно смещенным переходом.

С ростом отрицательного напряжения концентрация дырок в канале, а, значит, и его проводимость возрастают, что соответствует режиму обогащения. В режиме обеднения (“плюс” на Затворе) такой транзистор работать не может, т.к. не будет изоляции канала от кристалла незначительным по толщине прямо смещенным переходом. Обозначение:

Стрелка – это Подложка. В данном случае Подложка и Исток соединены.

Стоковые (выходные) характеристики при .

I_С,mA

U_ЗИ=-10В

насыщение

U_ЗИ=-8В

U_ЗИ=-6В

0 U_СИ, В

U_НАС

При происходит перекрытие канала, транзистор входит в режим насыщения – рабочий режим. Чем больше отрицательное напряжение на Затворе , тем выше концентрация дырок в канале и его проводимость, т.е. тем больше ток канала (тем выше идет характеристика).

Стоко-затворные (передаточные) характеристики при . I_С,mA

U_СИ=-5В

U_ЗИ, В 0

U_ПОРОГ

а) . При этом канал не образуется, и ток канала .

б)

Возникает p-канал, и ток канала растет с ростом напряжения на Затворе.

Дата добавления: 2017-02-01