ВАХ МОП-транзистора со встроенным n-каналом

МОП - транзисторы со встроенным каналом

Канал создается в таких транзисторах технологически – отличие от МОП-транзисторов с наведенным каналом.

Обозначение:

I_С,mA обогащение

U_ЗИ=+1В

U_ЗИ=0

обеднение U_ЗИ=-1В

0 U_СИ, В

I_С,mA

U_СИ=5В

обеднение обогащение

-U_ЗИ, В 0 +U_ЗИ, В

U_ОТС

Напряжение Затвора может быть как положительное, так и отрицательное.

а) Пусть (поперечное поле отсутствует).

Если при этом на Сток подать положительный потенциал относительно Истока, то через канал потечет ток (характеристика 1).

б) Пусть

Под действием поперечного поля (см. рисунок) в канал будут поступать электроны из кристалла, проводимость канала возрастет, т.е. ток канала увеличится (характеристика 2 идет выше характеристики 1). Этот режим соответствует режиму обогащения.

в) Пусть

Поперечное поле будет направлено в противоположную сторону. Под действием этого поля электроны будут вытягиваться из канала вглубь кристалла, следовательно, проводимость и ток канала уменьшаются (характеристика 3 идет ниже характеристики 1). Такой режим транзистора называют режимом обеднения.

Таким образом, МОП-транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения, в отличие от транзисторов с наведенным каналом, которые работают только а режиме обогащения.

Достоинства полевых транзисторов::

· Высокое входное сопротивление ( достигает 10¹⁴ Ом).

· Бесконечно большое усиление по току

().

к оэффициент усиления по току 0

· Малый уровень собственных шумов.

(Наиболее шумящими процессами являются генерация и рекомбинация – образование или исчезновение пары: электрон + дырка. В полевом транзисторе эти процессы отсутствуют, т.к. через их каналы двигаются заряды только одного знака).

· Высокая температурная стабильность, позволяющая исключить специальные меры температурной стабилизации рабочего режима.

· Хорошая развязка между входом и выходом ().

· Малый разброс параметров.

Недостатки:

· Малый коэффициент усиления по напряжению (несколько единиц).

Это связано с тем, что полевой транзистор в рабочем режиме (в режиме насыщения) имеет очень большое сопротивление, на котором теряется значительная часть полезного напряжения.

I_С

А

∆I_С

∆U_СИ

0 U_СИ

· МОП-транзисторы боятся статического электричества.

Дата добавления: 2017-02-01