Схемы включения биполярного транзистора

Существует несколько схем включения биполярного транзистора:

· Схема включения с общей базой;

· Схема включения с общим эмиттером;

· Схема включения с общим коллектором;

Любая схема включения транзистора характеризуется такими основными показателями:

· Коэффициент усиления по току ΔIвых\ΔIвх;

· Входное сопротивление Rвх=ΔUвх\ΔIвх;

· Выходное сопротивление Rвых.

Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора

Для каждой из схем включения транзистора различают три группы вольт-амперных характеристик:

- входные – зависимости входного тока от входного напряжения при фиксированном выходном напряжении;

- выходные – зависимости выходного тока от выходного напряжения при фиксированном входном напряжении;

- проходные – зависимости выходного тока от входного напряжения при фиксированном выходном напряжении.

Таким образом, могут быть получены семейства соответствующих вольт-амперных характеристик транзистора. В качестве примера на рис. 3 представлены типовые семейства соответственно входных и выходных вольт-амперных характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, на которых выделены характерные области режимов:

§ Активная область режимов I отличается тем, что на коллекторном переходе транзистора имеется запирающее напряжение, меньшее напряжения пробоя, а эмиттерный переход открыт.

§ Область отсечки II, расположенная вдоль оси напряжений на выходных характеристиках, характеризуется тем, что эмиттерный переход закрыт, а ток коллектора определяется обратным током коллекторного перехода.

§ Область насыщения III располагается вдоль оси токов на выходных характеристиках и отличается тем, что коллекторный переход смещен в прямом направлении. При этом происходит дополнительная инжекция неосновных носителей в базу и резкое падение усилительных свойств транзистора.

§ Область пробоя IV на выходных характеристиках соответствует высоким напряжениям на коллекторе и отличается резким возрастанием коллекторного тока с ростом напряжения.

Рис. 3. Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора

На входных характеристиках имеется область отсечки по входу V и область пробоя эмиттерного перехода VI.

Дата добавления: 2017-02-01